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1. (WO2011126709) COUCHE TAMPON DOPÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/126709    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/029019
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 18.03.2011
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : FIRST SOLAR, INC. [US/US]; 28101 Cedar Park Boulevard Perrysburg, OH 43551 (US) (Tous Sauf US).
BULLER, Benyamin [US/US]; (US) (US Seulement).
ROBERTS, Dale [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAO, Rui [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BULLER, Benyamin; (US).
ROBERTS, Dale; (US).
SHAO, Rui; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro LLP 1825 Eye Street, NW Washington, DC 20006-5403 (US)
Données relatives à la priorité :
61/319,254 30.03.2010 US
Titre (EN) DOPED BUFFER LAYER
(FR) COUCHE TAMPON DOPÉE
Abrégé : front page image
(EN)A solar cell with a doped buffer layer includes silicon and tin.
(FR)Cellule solaire comprenant une couche tampon dopée qui contient du silicium et de l'étain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)