WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011126618) CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À 4 TRANSISTORS COMPORTANT UNE STRUCTURE PMOS-NMOS-PMOS-NMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/126618    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/026200
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 25.02.2011
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01)
Déposants : NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 2900 Semiconductor Drive Santa Clara, CA 95051 (US) (Tous Sauf US).
POPLEVINE, Pavel [US/US]; (US) (US Seulement).
HO, Ernes [ID/US]; (US) (US Seulement).
LIN, Hengyang (james) [US/US]; (US) (US Seulement).
FRANKLIN, Andrew, J. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : POPLEVINE, Pavel; (US).
HO, Ernes; (US).
LIN, Hengyang (james); (US).
FRANKLIN, Andrew, J.; (US)
Mandataire : POLLOCK, Michael, J.; Dergosits & Noah Llp Three Embarcadero Center, Suite 410 San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
12/751,012 31.03.2010 US
Titre (EN) 4-TRANSISTOR NON-VOLATILE MEMORY CELL WITH PMOS-NMOS-PMOS-NMOS STRUCTURE
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE NON VOLATILE À 4 TRANSISTORS COMPORTANT UNE STRUCTURE PMOS-NMOS-PMOS-NMOS
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory (NVM) cell structure comprises a PMOS program transistor having source, drain and bulk region electrodes and a gate electrode that is connected to a data storage node; an NMOS control transistor having source, drain and bulk region electrodes that are commonly-connected to receive a control voltage and a gate electrode that is connected to the data storage node; a PMOS erase transistor having source, drain and bulk region electrodes that are commonly-connected to receive an erase voltage and a gate electrode that is connected to the data storage node; and an NMOS read transistor having source, drain and bulk region electrodes and a gate electrode connected to the data storage node.
(FR)La présente invention concerne une structure de cellule de mémoire non volatile (« non-volatile memory » ou NVM) qui comprend un transistor de programme PMOS qui comporte des électrodes source, drain et de région substrat et une électrode grille qui est connectée à un nœud de stockage de données ; un transistor de commande NMOS qui comporte des électrodes source, drain et de région substrat qui sont connectées en commun pour recevoir une tension de commande et une électrode grille qui est connectée au nœud de stockage de données ; un transistor d'effacement PMOS qui comporte des électrodes source, drain et de région substrat qui sont connectées en commun pour recevoir une tension d'effacement et une électrode grille qui est connectée au nœud de stockage de données ; et un transistor de lecture NMOS qui comporte des électrodes source, drain et de région substrat et une électrode grille connectée au nœud de stockage de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)