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1. (WO2011126093) OXYDE DESTINÉ À UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, CIBLE DE PULVÉRISATION ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/126093    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/058847
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 07.04.2011
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (Tous Sauf US).
MORITA Shinya; (US Seulement).
KUGIMIYA Toshihiro; (US Seulement).
MAEDA Takeaki; (US Seulement).
YASUNO Satoshi; (US Seulement).
TERAO Yasuaki; (US Seulement).
MIKI Aya; (US Seulement)
Inventeurs : MORITA Shinya; .
KUGIMIYA Toshihiro; .
MAEDA Takeaki; .
YASUNO Satoshi; .
TERAO Yasuaki; .
MIKI Aya;
Mandataire : OGURI Shohei; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-088725 07.04.2010 JP
2010-255249 15.11.2010 JP
2011-008322 18.01.2011 JP
Titre (EN) OXIDE FOR SEMICONDUCTOR LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR, SPUTTERING TARGET, AND THIN FILM TRANSISTOR
(FR) OXYDE DESTINÉ À UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, CIBLE DE PULVÉRISATION ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an oxide for a semiconductor layer of a thin film transistor, which, when used in a thin film transistor that includes an oxide semiconductor in the semiconductor layer, imparts good switching characteristics and stress resistance to the transistor. Specifically disclosed is an oxide for a semiconductor layer of a thin film transistor, which is used for a semiconductor layer of a thin film transistor and contains at least one element selected from the group consisting of In, Ga and Zn and at least one element selected from the group X consisting of Al, Si, Ni, Ge, Sn, Hf, Ta and W.
(FR)La présente invention a trait à un oxyde destiné à une couche semi-conductrice d'un transistor à couches minces, qui est en mesure de fournir un transistor à couches minces doté de bonnes caractéristiques de commutation et d'une bonne résistance à la contrainte lorsqu'un semi-conducteur d'oxyde est utilisé pour une couche semi-conductrice du transistor à couches minces. Plus particulièrement, la présente invention a trait à un oxyde destiné à une couche semi-conductrice d'un transistor à couches minces, qui est utilisé pour une couche semi-conductrice d'un transistor à couches minces et qui contient au moins un élément qui est sélectionné dans le groupe comprenant In, Ga et Zn et au moins un élément qui est sélectionné dans le groupe X comprenant Al, Si, Ni, Ge, Sn, Hf, Ta et W.
(JA) 薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、In、Ga、およびZnよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と;Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta、およびWよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)