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1. (WO2011126040) ELÉMENT À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF ET MODULE D'ÉLÉMENT CHAUFFANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/126040    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/058681
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 06.04.2011
CIB :
H01C 7/02 (2006.01), C04B 35/468 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01), H01L 35/00 (2006.01)
Déposants : Hitachi Metals, Ltd. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058614 (JP) (Tous Sauf US).
SHIMADA Takeshi; (US Seulement).
INO Kentaro; (US Seulement).
KIDA Toshiki; (US Seulement)
Inventeurs : SHIMADA Takeshi; .
INO Kentaro; .
KIDA Toshiki;
Mandataire : NAITO Teruo; Shin-ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 8F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-089758 08.04.2010 JP
Titre (EN) PTC ELEMENT AND HEATING-ELEMENT MODULE
(FR) ELÉMENT À COEFFICIENT DE TEMPÉRATURE POSITIF ET MODULE D'ÉLÉMENT CHAUFFANT
(JA) PTC素子と発熱体モジュール
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a PTC element that can be made thinner, using a lead-free semiconductor ceramic composition. This is achieved with a PTC element comprised of at least two metal electrodes, and a BaTiO3 system semiconductor ceramic composition arranged in between the electrodes, and wherein the semiconductor ceramic composition has a portion of barium in the BaTiO3 system substituted by Bi-Na and a semiconductorized element, has holes formed on bismuth sites by making at least a portion of the bismuth deficient, and has oxygen defects formed on the crystal thereof. Since the PTCR characteristic within the semiconductor ceramic composition is very weak in comparison to the PTCR characteristic at the interface between the semiconductor ceramic composition and the electrodes, so as to be able to be ignored, the PTC element can be made thinner.
(FR)La présente invention a trait à un élément à coefficient de température positif (CPT) qui peut être fabriqué de manière à être plus fin, grâce à l'utilisation d'une composition de céramique semi-conductrice sans plomb. Ceci est possible grâce à un élément à coefficient de température positif constitué au moins de deux électrodes métalliques et d'une composition de céramique semi-conductrice de système de BaTiO3 agencée entre les électrodes, laquelle composition de céramique semi-conductrice est dotée d'une partie de baryum dans le système de BaTiO3 substituée par Bi-Na et un élément semi-conducteur, est pourvue de trous formés sur des sites de bismuth en faisant en sorte qu'au moins une partie du bismuth soit déficiente, et est dotée de défauts d'oxygène formés sur son cristal. Dans la mesure où la caractéristique de coefficient de température positif de résistance (PTCR) à l'intérieur de la composition de céramique semi-conductrice est très faible par rapport à la caractéristique de coefficient de température positif de résistance à l'interface entre la composition de céramique semi-conductrice et les électrodes, de sorte qu'elle peut être ignorée, l'élément à coefficient de température positif peut être fabriqué de manière à être plus fin.
(JA) Pbフリーの半導体磁器組成物を用いて薄型化が可能なPTC素子を提供することを目的とする。 少なくとも2つの金属電極と、電極の間に配置されたBaTiO系半導体磁器組成物とを有するPTC素子であって、半導体磁器組成物は、BaTiO系のBaの一部がBi-Naと半導体化元素で置換され、少なくともBiの一部を欠乏させることによってBiサイトに空孔が形成されて、その結晶に酸素欠陥が形成されたPTC素子により実現される。半導体磁器組成物内部のPTCR特性が半導体磁器組成物と電極との間の界面におけるPTCR特性と比較して無視できるほど小さいため、PTC素子を薄肉化することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)