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1. (WO2011125891) APPAREIL PERMETTANT DE FABRIQUER UN MONOCRISTAL ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125891    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/058320
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 31.03.2011
CIB :
C30B 7/10 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01), C30B 29/18 (2006.01), C30B 29/20 (2006.01)
Déposants : TOKYO DENPA CO., LTD. [JP/JP]; 1-12-18, Omori-Nishi, Ota-ku, Tokyo 1430015 (JP) (Tous Sauf US).
OKADO, Sadao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Takao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORIKAWA, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKADO, Sadao; (JP).
SUZUKI, Takao; (JP).
HORIKAWA, Koji; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-085096 01.04.2010 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL
(FR) APPAREIL PERMETTANT DE FABRIQUER UN MONOCRISTAL ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN MONOCRISTAL
(JA) 単結晶製造装置、及び単結晶製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an apparatus which a hydrothermal method can employ to manufacture a high-quality single crystal of a low content of metal impurity for various types of devices at reduced costs. The apparatus for manufacturing the single crystal is provided with an autoclave and a container in the autoclave for growing the single crystal, so that a seed crystal is placed in the container and then the hydrothermal method is followed to manufacture the single crystal. The container for growing the single crystal is characterized by being made of at least one metal selected from the group consisting of pure titanium, pure tantalum, and pure zirconium.
(FR)La présente invention se rapporte à un appareil pouvant être utilisé dans un procédé hydrothermique pour fabriquer un monocristal de qualité élevée présentant une faible teneur en impuretés métalliques pour divers types de dispositifs à des coûts réduits. L'appareil permettant de fabriquer le monocristal est pourvu d'un autoclave et d'un contenant dans l'autoclave pour faire croître le monocristal, de telle sorte qu'un germe cristallin soit placé dans le contenant et, ensuite, que le procédé hydrothermique soit poursuivi pour fabriquer le monocristal. Le contenant pour faire croître le monocristal est caractérisé par le fait qu'il est composé d'au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le titane pur, le tantale pur et le zirconium pur.
(JA) コストが安価で、金属不純分含有量の少ない高品質な各種デバイス用の単結晶を、水熱合成法で製造できるようにする。 オートクレーブ内に単結晶の育成用容器を設置し、この容器内に種結晶を設置して水熱合成法により単結晶を製造する単結晶製造装置において、前記育成用容器は、純チタン、純タンタル及び純ジルコニウムからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属により製作されたものであることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)