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1. (WO2011125815) STRUCTURE DE NID D'ABEILLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125815    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/058173
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 31.03.2011
CIB :
B01J 35/04 (2006.01), B01D 53/86 (2006.01), F01N 3/20 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
SAKASHITA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OMIYA, Yoshimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKASHITA, Satoshi; (JP).
OMIYA, Yoshimasa; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kazuhira; 3rd Fl., No.8 Kikuboshi Tower Building, 20-18, Asakusabashi 3-chome, Taito-ku, Tokyo 1110053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-080370 31.03.2010 JP
2010-180893 12.08.2010 JP
2010-276038 10.12.2010 JP
Titre (EN) HONEYCOMB STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE NID D'ABEILLES
(JA) ハニカム構造体
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a honeycomb structure that is provided with: a tube-shaped honeycomb structure section (4) having partitions (1) and an outer peripheral wall (3) that are of a porous material and that define a plurality of cells (2); and a pair of electrode sections (21) that are disposed on the sides (5) of the honeycomb structure section (4). The electrical resistivity of the honeycomb structure section (4) is 1-200 Ωcm; each of the pair of electrode sections (21) is formed in a band-shape that extends in the direction that the cells (2) of the honeycomb structure section (4) extend; in a cross section that is perpendicular to the direction that the cells (2) extend, one electrode section (21) of the pair of electrode sections (21) is, with respect to the other electrode section (21) of the pair of electrode sections (21), disposed on the reverse side so as to sandwich the center (O) of the honeycomb structure section (4); in a cross section that is perpendicular to the direction that the cells (2) extend, 0.5 times the central angle of each electrode section (21) is 15-65°. The honeycomb structure is a catalyst support, can also function as a heater by means of applying voltage, and can suppress a bias in temperature distribution when applying voltage.
(FR)La présente invention concerne une structure de nid d'abeilles qui comprend : une section de structure de nid d'abeilles de forme tubulaire (4) ayant des séparations (1) et une paroi périphérique externe (3) qui sont constituées d'un matériau poreux et qui définissent une pluralité d'alvéoles (2) ; et une paire de sections d'électrode (21) qui sont disposées sur les côtés (5) de la section de structure de nid d'abeilles (4). La résistivité électrique de la section de structure de nid d'abeilles (4) est de 1 à 200 Ωcm ; chacune de la paire de sections d'électrode (21) est formée en forme de bande qui s'étend dans la direction dans laquelle les alvéoles (2) de la section de structure de nid d'abeilles (4) s'étendent ; dans une section transversale qui est perpendiculaire à la direction dans laquelle les alvéoles (2) s'étendent, une section d'électrode (21) de la paire de sections d'électrode (21) est, par rapport à l'autre section d'électrode (21) de la paire de sections d'électrode (21), disposée sur le côté opposé de manière à prendre en sandwich le centre (O) de la section de structure de nid d'abeilles (4) ; dans une section transversale qui est perpendiculaire à la direction dans laquelle les alvéoles (2) s'étendent, 0,5 fois l'angle central de chaque section d'électrode (21) est de 15 à 65°. La structure de nid d'abeilles est un support de catalyseur, qui peut également fonctionner en tant que chauffage au moyen de l'application de tension, et peut supprimer un biais de distribution de température lors de l'application d'une tension.
(JA) 複数のセル2を区画形成する多孔質の隔壁1と外周壁3とを有する筒状のハニカム構造部4と、ハニカム構造部4の側面5に配設された一対の電極部21とを備え、ハニカム構造部4の電気抵抗率が、1~200Ωcmであり、一対の電極部21のそれぞれが、ハニカム構造部4のセル2の延びる方向に延びる帯状に形成され、セル2の延びる方向に直交する断面において、一対の電極部21における一方の電極部21が、一対の電極部21における他方の電極部21に対して、ハニカム構造部4の中心Oを挟んで反対側に配設され、セル2の延びる方向に直交する断面において、それぞれの電極部21の中心角の0.5倍が、15~65°であるハニカム構造体。触媒担体であると共に電圧を印加することによりヒーターとしても機能し、電圧を印加したときの温度分布の偏りを抑制することができるハニカム構造体を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)