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1. (WO2011125802) STRUCTURE DE CÂBLAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2011/125802    International Application No.:    PCT/JP2011/058141
Publication Date: 13 oct. 2011 International Filing Date: 30 mars 2011
IPC: H01L 21/28
G09F 9/30
H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 23/52
H01L 23/522
H01L 29/417
H01L 29/78
H01L 29/786
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO
株式会社神戸製鋼所
TERAO Yasuaki
寺尾 泰昭
MORITA Shinya
森田 晋也
MIKI Aya
三木 綾
TOMIHISA Katsufumi
富久 勝文
GOTO Hiroshi
後藤 裕史
Inventors: TERAO Yasuaki
寺尾 泰昭
MORITA Shinya
森田 晋也
MIKI Aya
三木 綾
TOMIHISA Katsufumi
富久 勝文
GOTO Hiroshi
後藤 裕史
Title: STRUCTURE DE CÂBLAGE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne une structure de câblage qui atteint une résistance de contact très faible, même en supprimant la couche métallique de barrière qui est normalement intercalée entre un film de câblage en alliage de cuivre et une couche semi-conductrice, et qui présente une excellente adhérence. La structure de câblage comporte une couche semi-conductrice et une couche d'alliage de cuivre sur un substrat, dans cet ordre en partant du substrat. Une structure stratifiée est disposée entre la couche semi-conductrice et la couche d'alliage de cuivre. Ladite structure stratifiée se compose d'une couche (N, C, F, O) qui contient au moins un élément choisi dans un groupe constitué par l'azote, le carbone, le fluor et l'oxygène, et une couche de diffusion Cu-Si qui comprend du cuivre et du silicium, dans cet ordre en partant du substrat. Au moins un élément choisi dans le groupe constitué par l'azote, le carbone, le fluor et l'oxygène qui compose la couche (N, C, F, O) est lié au silicium dans la couche semi-conductrice. La couche d'alliage de cuivre est une structure stratifiée contenant une couche d'alliage Cu-X (première couche) et une deuxième couche.