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1. (WO2011125526) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT DE PRISE DE VUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125526    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/057250
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 24.03.2011
CIB :
H01L 51/42 (2006.01), H01L 31/102 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI Hideyuki; (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI Hideyuki;
Mandataire : TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-084407 31.03.2010 JP
2010-249209 05.11.2010 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT DE PRISE DE VUES
(JA) 光電変換素子及び撮像素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a solid-state image pickup element using an organic photoelectric conversion element which, when applied to a photoelectric conversion element, functions as the photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency, has a small absolute value of a dark current, and exhibits good characteristic at temperatures between room temperature and 60°C. Also provided is an organic photoelectric conversion element the temperature dependence of the performance of which is sufficiently small. Specifically provided is a photoelectric conversion element including a pair of electrodes and a photoelectric conversion layer sandwiched between the pair of electrodes, said photoelectric conversion element being characterized in that the photoelectric conversion layer is a bulk hetero layer in which fullerene or a fullerene derivative and a p-type organic semiconductor material are mixed, the ionization potential of the photoelectric conversion layer is 5.2-5.6 eV inclusive, at least one electron blocking layer is provided between at least one electrode of the pair of electrodes and the photoelectric conversion layer, and the ionization potential of the electron blocking layer adjacent to the photoelectric conversion layer is larger than the ionization potential of the photoelectric conversion layer.
(FR)L'invention concerne un élément de prise de vues à semi-conducteurs utilisant un élément de conversion photoélectrique organique qui présente une efficacité de conversion photoélectrique élevée, une faible valeur absolue de courant d'obscurité, et de bonnes caractéristiques à une température entre la température ambiante et 60 °C. L'invention concerne également un élément de conversion photoélectrique organique dont la dépendance en température des performances est suffisamment limitée. L'élément de conversion photoélectrique spécifiquement décrit comprend une paire d'électrodes et une couche de conversion photoélectrique intercalée entre la paire d'électrodes, et est caractérisé en ce que la couche de conversion photoélectrique est une couche hétérogène épaisse dans laquelle un fullerène ou un dérivé de fullerène et un matériau semi-conducteur organique de type p sont mélangés, le potentiel d'ionisation de la couche de conversion photoélectrique est de 5,2 à 5,6 eV inclus, au moins une couche de blocage des électrons est disposée entre au moins une électrode de la paire d'électrodes et la couche de conversion photoélectrique, et le potentiel d'ionisation de la couche de blocage des électrons au voisinage de la couche de conversion photoélectrique est plus grand que le potentiel d'ionisation de la couche de conversion photoélectrique.
(JA) 光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温~60℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。 一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とp型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが5.2eV以上5.6eV以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)