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1. (WO2011125453) TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125453    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/056489
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 11.03.2011
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
MIYAKE, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAYAMA, Masayo; (US Seulement)
Inventeurs : MIYAKE, Hiroyuki; (JP).
KAYAMA, Masayo;
Données relatives à la priorité :
2010-088634 07.04.2010 JP
Titre (EN) TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)An object is to provide a transistor having a novel electrode structure capable of substantially maintaining on-state current while parasitic capacitance generated in an overlap portion between a source electrode layer (a drain electrode layer) and a gate electrode layer is reduced. Parasitic capacitance is reduced by using a source electrode layer and a drain electrode in a comb shape in a transistor. Curved current flowing from side edges of electrode tooth portions can be generated by controlling the width of an end of a comb-shaped electrode layer or the interval between the electrode tooth portions. This curved current compensates for a decrease in linear current due to a comb electrode shape; thus, on-state current can be kept unchanged even when parasitic capacitance is reduced.
(FR)Un objet de la présente invention est de fournir un transistor doté d'une structure d'électrode innovante en mesure de maintenir sensiblement un courant à l'état passant tout en réduisant la capacité parasite générée dans une partie de chevauchement entre une couche d'électrode de source (une couche d'électrode de drain) et une couche d'électrode de grille. La capacité parasite est réduite grâce à l'utilisation d'une couche d'électrode de source et d'une électrode de drain en forme de peigne dans un transistor. Un courant incurvé circulant depuis les bords latéraux des parties de dents d'électrode peut être généré en commandant la largeur d'une extrémité d'une couche d'électrode en forme de peigne ou l'intervalle entre les parties de dents d'électrode. Ce courant incurvé compense la diminution du courant linéaire due à une forme d'électrode en peigne ; de la sorte, le courant à l'état passant peut rester inchangé y compris lorsque la capacité parasite est réduite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)