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1. (WO2011125395) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125395    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/054761
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 02.03.2011
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (Tous Sauf US).
HIROSE Yoshiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANAYAMA Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUNO Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKASAWA Yushin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OTA Yosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIROSE Yoshiro; (JP).
KANAYAMA Kenji; (JP).
MIZUNO Norikazu; (JP).
TAKASAWA Yushin; (JP).
OTA Yosuke; (JP)
Mandataire : YUI Tohru; 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-090549 09.04.2010 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR TREATMENT OF SUBSTRATE, AND DEVICE FOR TREATMENT OF SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a semiconductor device, which involves a step of carrying out a substep of supplying one of a chlorosilane raw material and an aminosilane raw material to a substrate in a treatment chamber and subsequently supplying the other raw material to the substrate, thereby forming a first layer containing silicon, nitrogen and carbon on the substrate and a substep of supplying a reaction gas that is different from the raw materials to the substrate in the treatment chamber, thereby modifying the first layer and forming a second layer, wherein the substeps are carried out alternately predetermined times to form an insulating layer having a predetermined composition and a predetermined thickness on the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur qui met en jeu une étape de réalisation d'une sous-étape d'apport de l'une parmi une matière première chlorosilane et matière première aminosilane à un substrat dans une chambre de traitement, puis d'apport de l'autre matière première au substrat, permettant ainsi de former une première couche contenant du silicium, de l'azote et du carbone sur le substrat, et une sous-étape d'apport d'un gaz de réaction, qui est différent des matières premières, au substrat dans la chambre de traitement, permettant ainsi de modifier la première couche et de former une seconde couche, les sous-étapes étant réalisées de manière alternées un nombre prédéterminé de fois pour former une couche isolante ayant une composition prédéterminée et une épaisseur prédéterminée sur le substrat.
(JA) 処理室内の基板に対して、クロロシラン系原料およびアミノシラン系原料のうちの一方の原料を供給し、その後、他方の原料を供給することで、基板上にシリコン、窒素および炭素を含む第1の層を形成する工程と、処理室内の基板に対して、各原料とは異なる反応ガスを供給することで、第1の層を改質して、第2の層を形成する工程と、を交互に所定回数行うことで、基板上に、所定組成及び所定膜厚の絶縁膜を形成する工程を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)