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1. (WO2011125311) ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET DISPOSITIF DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125311    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/001895
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 30.03.2011
CIB :
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
IWANAGA, Junko; (US Seulement).
YOKOGAWA, Toshiya; (US Seulement).
YAMADA, Atsushi; (US Seulement)
Inventeurs : IWANAGA, Junko; .
YOKOGAWA, Toshiya; .
YAMADA, Atsushi;
Mandataire : OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-085378 01.04.2010 JP
2010-085379 01.04.2010 JP
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET DISPOSITIF DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオード素子および発光ダイオード装置
Abrégé : front page image
(EN)A light-emitting diode element comprising: an n-type conductive layer (2) which comprises a first region (2a), a second region (2b) and a back surface (2c); an active layer (3) and a p-type conductive layer (4) both of which are arranged on the first region (2a) of the n-type conductive layer (2); a p-type electrode (5) which is arranged on the main surface of the p-type conductive layer (4); an insulating film (15) which is arranged on the inner wall of a through-hole (8) that penetrates through the n-type conductive layer (2) and has an opening on the second region (2b) and the back surface (2c) of the n-type conductive layer (2); a conductive part (9) which is arranged on the surface of the insulating film (15) in the inside of the through-hole (8); an n-type surface electrode (6) which is arranged in the second region (2b) and is in contact with the conductive part (9); and an n-type back-side electrode (7) which is arranged on the back surface (2c) of the n-type conductive layer (2) and is in contact with the conductive part (9).
(FR)L'invention porte sur un élément de diode électroluminescente, qui comprend : une couche conductrice de type n (2), qui comprend une première région (2a), une seconde région (2b) et une surface arrière (2c) ; une couche active (3) et une couche conductrice de type p (4), toutes deux étant disposées sur la première région (2a) de la couche conductrice de type n (2) ; une électrode de type p (5), qui est disposée sur la surface principale de la couche conductrice de type p (4) ; un film isolant (15) qui est disposé sur la paroi interne d'un trou traversant (8) qui pénètre à travers la couche conductrice de type n (2), et qui a une ouverture sur la seconde région (2b) et la surface arrière (2c) de la couche conductrice de type n (2) ; une partie conductrice (9) qui est disposée sur la surface du film isolant (15) dans l'intérieur du trou traversant (8) ; une électrode de surface de type n (6) qui est disposée dans la seconde région (2b) et qui est en contact avec la partie conductrice (9) ; et une électrode de côté arrière de type n (7) qui est disposée sur la surface arrière (2c) de la couche conductrice de type n (2) et qui est en contact avec la partie conductrice (9).
(JA) 第1の領域2a、第2の領域2bおよび裏面2cを有するn型導電層2と、n型導電層2の第1の領域2aに設けられた活性層3およびp型導電層4と、p型導電層4の主面上に設けられたp型電極5と、n型導電層2を貫通し、n型導電層2の第2の領域2bおよび裏面2cに開口を有するスルーホール8の内壁に設けられた絶縁膜15と、前記スルーホール8の内部において、絶縁膜15の表面に設けられた導電体部9と、第2の領域2bに設けられ、導電体部9と接するn型表面電極6と、n型導電層2の裏面2cに設けられ、導電体部9と接するn型裏面電極7とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)