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1. (WO2011125279) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125279    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/001027
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 23.02.2011
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 33/40 (2010.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
YOKOGAWA, Toshiya; (US Seulement).
OYA, Mitsuaki; (US Seulement).
YAMADA, Atsushi; (US Seulement).
KATO, Ryou; (US Seulement)
Inventeurs : YOKOGAWA, Toshiya; .
OYA, Mitsuaki; .
YAMADA, Atsushi; .
KATO, Ryou;
Mandataire : OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-085221 01.04.2010 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The disclosed nitride semiconductor element is provided with: a layered nitride semiconductor structure (20) that has a p-type GaN semiconductor region, the surface (12) of which is inclined at an angle between 1° and 5° with an m-plane; and an electrode (30) provided on top of the p-type GaN semiconductor region. The electrode (30) contains a magnesium alloy layer (32) comprising magnesium and either platinum, molybdenum, or palladium. The magnesium alloy layer (32) is in contact with the surface (12) of the p-type GaN semiconductor region in the layered semiconductor structure (20).
(FR)L'invention divulgue un élément semi-conducteur de nitrure constitué de : une structure de semi-conducteur de nitrure en couches (20) qui a une région de semi-conducteur GaN de type p, dont la surface (12) est inclinée à un angle entre 1° et 5° avec un plan m ; et une électrode (30) placée sur le dessus de la région de semi-conducteur GaN de type p. L'électrode (30) contient une couche d'alliage de magnésium (32) comprenant du magnésium et soit du platine, du molybdène, soit du palladium. La couche d'alliage de magnésium (32) est en contact avec la surface (12) de la région de semi-conducteur GaN de type p dans la structure de semi-conducteur en couches (20).
(JA) 本発明の窒化物系半導体素子は、表面12がm面から1°以上5°以下の角度で傾斜したp型GaN系半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造20と、p型GaN系半導体領域上に設けられた電極30とを備える。電極30は、Pt、MoおよびPdからなる群から選択される金属とMgとから構成されるMg合金層32を含み、Mg合金層32は、半導体積層構造20におけるp型GaN系半導体領域の表面12に接触している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)