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1. (WO2011125036) ALLIAGES D'OXYDES DE TYPE P À BASE D'OXYDES DE CUIVRE, D'OXYDES D'ÉTAIN, D'OXYDES D'ALLIAGE D'ÉTAIN/CUIVRE, ET ALLIAGE MÉTALLIQUE À BASE DE CEUX-CI, OXYDE DE NICKEL AVEC SES MÉTAUX ENCASTRÉS, ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION ET D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125036    N° de la demande internationale :    PCT/IB2011/051487
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 06.04.2011
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01), H01L 21/16 (2006.01)
Déposants : FACULDADE DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA DA UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA [PT/PT]; Campus da Caparica Quinta da Torre P-2829-516 Caparica (PT) (Tous Sauf US).
ELECTRONIC AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; b 138 Gajeongno Yuseong-gu Daejon 305-700 (KR) (Tous Sauf US).
CORREIA FORTUNATO, Elvira Maria [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
DE PAIVA MARTINS, Rodrigo Ferrão [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
XAROUCO DE BARROS, Ana Raquel [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
DE OLIVEIRA CORREIA, Nuno Filipe [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
LOUREIRO FIGUEIREDO, Vitor Manuel [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
CÂNDIDO BARQUINHA, Pedro Miguel [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
KO PARK, Sang-Hee [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
HWANG, Chi-Sun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CORREIA FORTUNATO, Elvira Maria; (PT).
DE PAIVA MARTINS, Rodrigo Ferrão; (PT).
XAROUCO DE BARROS, Ana Raquel; (PT).
DE OLIVEIRA CORREIA, Nuno Filipe; (PT).
LOUREIRO FIGUEIREDO, Vitor Manuel; (PT).
CÂNDIDO BARQUINHA, Pedro Miguel; (PT).
KO PARK, Sang-Hee; (KR).
HWANG, Chi-Sun; (KR)
Mandataire : VIEIRA PEREIRA FERREIRA, Maria Silvina; Clarke, Modet & Co. Rua Castilho, 50-9º P-1269-163 Lisboa (PT)
Données relatives à la priorité :
105039 06.04.2010 PT
Titre (EN) P-TYPE OXIDE ALLOYS BASED ON COPPER OXIDES, TIN OXIDES, TIN-COPPER ALLOY OXIDES AND METAL ALLOY THEREOF, AND NICKEL OXIDE, WITH EMBEDDED METALS THEREOF, FABRICATION PROCESS AND USE THEREOF
(FR) ALLIAGES D'OXYDES DE TYPE P À BASE D'OXYDES DE CUIVRE, D'OXYDES D'ÉTAIN, D'OXYDES D'ALLIAGE D'ÉTAIN/CUIVRE, ET ALLIAGE MÉTALLIQUE À BASE DE CEUX-CI, OXYDE DE NICKEL AVEC SES MÉTAUX ENCASTRÉS, ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION ET D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to thin films comprising non- stoichiometric monoxides of: copper (OCu2)x with embedded cubic metal copper (Cucy) [ (OCu2) x+ (Cu1-2) y, wherein 0.05≤x<1 and 0.01≤y≤0.9]; of tin (OSn)αx with embedded metal tin (Snβx) [ (OSn) z+ (Sn1-2)w wherein 0.05cx-Snβx alloys with embedded metal Sn and Cu [ (O-Cu- Sn) a+ (Cuα-Snβ)b with 0<α<2 and 0<β<2, wherein 0.05≤a<1 and 0.01≤b<0.9]; and of nickel (ONi)x with embedded Ni and Sn species [ (O-Ni )a+ (Niα-Snβ)b with 0<α<2 and 0<β<2, wherein 0.05≤a<1 and 0.01≤b≤0.9]; or combinations thereof, with amorphous, or nanocrystalline, or polycrystalline structure, either doped or not, with impurities such as zirconium, nitrogen or fluorine, for the fabrication of CMOS or TFT devices, with active matrices for LCD or OLED, fabrication of logic circuits, among others, using rigid or flexible substrates, wherein a protection layer, such as SU8 or the like, or silicon oxide or silicon nitride films are used for encapsulation.
(FR)Cette invention concerne des films minces comprenant des monoxydes non stœchiométriques de cuivre (OCu2)x avec du cuivre métallique cubique encastré (Cucy) [(OCu2)x + (Cu1-2)y, où 0,05≤x<1 et 0,01≤y≤0,9] ; d'étain (OSn)αx avec de l'étain métallique encastré (Snβx) [(OSn)z + (Sn1-2)w, où 0,05cx-Snβx avec du Sn et du Cu métalliques encastrés [(O-Cu-Sn)a + (Cuα-Snβ)b, où 0<α<2 et 0<β<2, et où 0,05≤a<1 et 0,01≤b<0,9] ; et de nickel (ONi)x comprenant des espèces de Ni et de Sn encastrées [(O-Ni)a + (Niα-Snβ)b, où 0<α<2 et 0<β<2, et où 0,05≤a<1 et 0,01≤b≤0,9] ; ou des combinaisons de ceux-ci, de structure amorphe ou nanocristalline ou polycristalline, dopés ou non, avec des impuretés telles que le zirconium, l'azote ou le fluor, pour la fabrication de dispositifs CMOS ou TFT, avec des matrices actives pour des afficheurs ACL ou des DELO, la fabrication de circuits logiques, entre autres, au moyen de substrats rigides ou souples, dans lesquels une couche de protection en SU-8 ou similaire, ou des films d'oxyde de silicium ou de nitrure de silicium sont utilisés à des fins d'encapsulation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)