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1. (WO2011124913) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/124913    N° de la demande internationale :    PCT/GB2011/050679
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 06.04.2011
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL [GB/GB]; Foundation Building 765 Brownlow Hill Liverpool Merseyside L69 7ZX (GB) (Tous Sauf US).
SUCHOMEL, Matthew [US/US]; (US) (US Seulement).
ROSSEINSKY, Matthew [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
NIU, Hongjun [CN/GB]; (GB) (US Seulement).
CHALKER, Paul [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
YAN, Lei [CN/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : SUCHOMEL, Matthew; (US).
ROSSEINSKY, Matthew; (GB).
NIU, Hongjun; (GB).
CHALKER, Paul; (GB).
YAN, Lei; (GB)
Mandataire : STUTTARD, Garry; Tower North Central Merrion Way Leeds Yorkshire LS2 8PA (GB)
Données relatives à la priorité :
1005741.2 07.04.2010 GB
Titre (EN) PROCESS FOR PREPARING A DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UN DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a process for preparing a functional device which comprises a substrate and an element composed of a strontium-hafnium- titanium oxide or strontium- zirconium- titanium oxide. The process involves exposing the substrate to discrete volatalised amounts of a strontium precursor, a hatnium or zirconium precursor an a titaniuim precursor in sequential steps.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation d'un dispositif fonctionnel qui comprend un substrat et un élément composé d'un oxyde de strontium-hafnium-titane ou d'un oxyde de strontium-zirconium-titane. Le procédé implique l'exposition du substrat à des quantités rendues volatiles discrètes d'un précurseur de strontium, d'un précurseur de hafnium ou de zirconium et d'un précurseur de titane selon des étapes séquentielles.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)