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1. (WO2011124893) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PARTICULES STRUCTURÉES COMPOSÉES DE SILICIUM OU D'UN MATÉRIAU À BASE DE SILICIUM ET UTILISATION ASSOCIÉE DANS DES BATTERIES AU LITHIUM RECHARGEABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/124893    N° de la demande internationale :    PCT/GB2011/000546
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 08.04.2011
CIB :
H01M 4/38 (2006.01), C09K 13/04 (2006.01), C09K 13/08 (2006.01), H01M 4/04 (2006.01)
Déposants : NEXEON LIMITED [GB/GB]; 136 Milton Park Abingdon Oxfordshire OX14 4SB (GB) (Tous Sauf US).
GREEN, Mino [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
LIU, Feng-Ming [CN/GB]; (GB) (US Seulement).
JIANG, Yuxiong [CN/GB]; (GB) (US Seulement).
STEVENS, Valerie, Elizabeth, Dawn [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
MILLS-LAMPTEY, Benjamin, Odarkwei [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : GREEN, Mino; (GB).
LIU, Feng-Ming; (GB).
JIANG, Yuxiong; (GB).
STEVENS, Valerie, Elizabeth, Dawn; (GB).
MILLS-LAMPTEY, Benjamin, Odarkwei; (GB)
Mandataire : KILBURN & STRODE LLP; 20 Red Lion Street London WC1R 4PJ (GB)
Données relatives à la priorité :
1005979.8 09.04.2010 GB
Titre (EN) A METHOD OF FABRICATING STRUCTURED PARTICLES COMPOSED OF SILICON OR A SILICON-BASED MATERIAL AND THEIR USE IN LITHIUM RECHARGEABLE BATTERIES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PARTICULES STRUCTURÉES COMPOSÉES DE SILICIUM OU D'UN MATÉRIAU À BASE DE SILICIUM ET UTILISATION ASSOCIÉE DANS DES BATTERIES AU LITHIUM RECHARGEABLES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for treating silicon to form pillars ( see Figure 2), especially for use as the active anode material in Li-ion batteries. The process is simple to operate on a commercial scale since it uses a solution containing only a small number of ingredients whose concentration needs to be controlled and it can be cheaper to operate than previous processes. The etching solution comprises: 0.01 to 5M HF 0.002 to 0.2M of metal ions capable of nucleating on and forming a porous layer comprising regions of elemental metal on the silicon surface; 0.001 to 0.7M of an oxidant selected from the group O2, O3, H2O2, the acid, ammonium or alkali metal salt of NO3-, S2O82-, NO2-, B4O72- and ClO4- a mixture thereof. The treated silicon is suitably removed from the solution. Etched particles or fibres made by the process may be used in the form of a composite material in the active electrode material.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement du silicium pour former des colonnes, destinées, en particulier, à être utilisées comme matériau d'anode actif dans des batteries au Li-ion. Le procédé est simple à mettre en œuvre à l'échelle industrielle car il utilise une solution ne contenant qu'un petit nombre d'ingrédients dont la concentration doit être contrôlée, et il peut être plus économique à mettre en œuvre que les précédents procédés. La solution comprend : 0,01 à 5 M de HF, 0,002 à 0,2 M d'ions métalliques capables de nucléation et pouvant former une couche poreuse comprenant des régions de métal élémentaire sur la surface de silicium ; 0,001 à 0,7 M d'un oxydant choisi dans le groupe comprenant O2, O3, H2O2, l'acide, le sel d'ammonium ou de métal alcalin de NO3-, S2O82-, NO2-, B4O72- et C1O4- ou un mélange de ceux-ci. Le silicium traité est de préférence retiré de la solution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)