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1. (WO2011124530) PROCÉDÉ MIS EN ŒUVRE PAR ORDINATEUR DE SIMULATION NUMÉRIQUE DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR CONTENANT DES JONCTIONS À EFFET TUNNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/124530    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/055086
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 01.04.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.06.2012    
CIB :
G06F 17/50 (2006.01)
Déposants : UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID [ES/ES]; Ramiro de Maeztu, 7 E-28040 Madrid (ES) (Tous Sauf US).
GARCÍA VARA, Iván [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
ESPINET GONZÁLEZ, Pilar [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
ALGORA DEL VALLE, Carlos [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
BAUDRIT, Mathieu [FR/ES]; (ES) (US Seulement).
REY-STOLLE PRADO, Ignacio [ES/ES]; (ES) (US Seulement)
Inventeurs : GARCÍA VARA, Iván; (ES).
ESPINET GONZÁLEZ, Pilar; (ES).
ALGORA DEL VALLE, Carlos; (ES).
BAUDRIT, Mathieu; (ES).
REY-STOLLE PRADO, Ignacio; (ES)
Mandataire : CALVO RAMÓN, Pablo; ABG Patentes, S.L. Avenida de Burgos, 16D Edificio Euromor E-28036 Madrid (ES)
Données relatives à la priorité :
10382076.7 05.04.2010 EP
Titre (EN) METHOD IMPLEMENTED IN A COMPUTER FOR THE NUMERICAL SIMULATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES CONTAINING TUNNEL JUNCTIONS
(FR) PROCÉDÉ MIS EN ŒUVRE PAR ORDINATEUR DE SIMULATION NUMÉRIQUE DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR CONTENANT DES JONCTIONS À EFFET TUNNEL
Abrégé : front page image
(EN)The present invention consists in a method implemented in a computer for the numerical simulation of a semiconductor device which contains (a) tunnel junctions and allows the simulation for all the working range of the tunnel junction. The method is based on a distributed model where the tunnel junction can be integrated in the simulation by means of distributed electronic circuits of a semiconductor device and, specially, of a multijunction solar cell. The said method is used to circumvent the convergence problem existing so far and allows in particular the full description of the experimental behavior of the multijunction solar cells and, by extension, of any kind of semiconductor device containing tunnel junctions.
(FR)La présente invention consiste en un procédé mis en œuvre par ordinateur de simulation numérique d'un dispositif à semi-conducteur qui contient (a) des jonctions à effet tunnel, permettant la simulation de toute la plage de fonctionnement de la jonction à effet tunnel. Le procédé est basé sur un modèle réparti où la jonction à effet tunnel peut être intégrée dans la simulation à l'aide de circuits électroniques répartis d'un dispositif à semi-conducteur et, en particulier, d'une cellule solaire à plusieurs jonctions. Ledit procédé est utilisé de façon à éviter le problème de convergence rencontré jusqu'ici, et permet en particulier une description complète du comportement expérimental des cellules solaires à plusieurs jonctions et, par extension, de tout type de dispositif à semi-conducteur qui contient des jonctions à effet tunnel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)