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1. (WO2011124424) DÉTECTION DE BIOMOLÉCULES ET D'IONS CHARGÉS DANS UN ÉLECTROLYTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/124424    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/052981
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 01.03.2011
CIB :
G01N 27/414 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
ZAFAR, Sufi [US/US]; (US) (US Seulement).
NING, Tak, Hung [US/US]; (US) (US Seulement).
DORMAN, Donald, Richard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZAFAR, Sufi; (US).
NING, Tak, Hung; (US).
DORMAN, Donald, Richard; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
12/756,628 08.04.2010 US
Titre (EN) SENSING BIOMOLECULES & CHARGED IONS IN AN ELECTROLYTE
(FR) DÉTECTION DE BIOMOLÉCULES ET D'IONS CHARGÉS DANS UN ÉLECTROLYTE
Abrégé : front page image
(EN)A sensor for biomolecules or charged ions includes a substrate; a first node, a second node, and a third node located in the substrate; a gate dielectric located over the substrate, the first node, the second node, and the third node; a first field effect transistor (FET), the first FET comprising a control gate located on the gate dielectric, and the first node and the second node; and a second FET, the second FET comprising a sensing surface located on the gate dielectric, and the second node and the third node, wherein the sensing surface is configured to specifically bind the biomolecules or charged ions that are to be detected.
(FR)L'invention porte sur un capteur de biomolécules ou d'ions chargés, le capteur comprenant un substrat ; un premier nœud, un deuxième nœud et un troisième nœud situés dans le substrat ; un diélectrique de grille, situé au-dessus du substrat, du premier nœud, du deuxième nœud et du troisième nœud ; un premier transistor à effet de champ (FET), le premier FET comprenant une grille de commande située sur le diélectrique de grille, et le premier nœud et le deuxième nœud ; et un second FET, le second FET comprenant une surface de détection située sur le diélectrique de grille, le deuxième nœud et le troisième nœud, la surface de détection étant configurée de façon à lier d'une manière spécifique les biomolécules ou les ions chargés qui doivent être détectés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)