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1. (WO2011124000) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/124000    N° de la demande internationale :    PCT/CN2010/001418
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 16.09.2010
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
LUO, Zhijiong [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (US Seulement).
YIN, Haizhou [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LUO, Zhijiong; (US).
ZHU, Huilong; (US).
YIN, Haizhou; (US)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD; 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza No. 1, Wangzhuang Rd. Haidian District Beijing 100083 (CN)
Données relatives à la priorité :
201010145090.5 09.04.2010 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 半导体器件及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided. The semiconductor device comprises a first conductive type semiconductor substrate (1001), a gate formed on the semiconductor substrate (1001), a highly doped region (1008) of the first conductive type and a highly doped region (1012) of the second conductive type formed in the semiconductor substrate (1001) along the two sides of the gate respectively, wherein the highly doped region (1012) of the second conductive type is separated from the semiconductor substrate (1001) by a dielectric layer (1011') at the end of one side of the gate. The switching performance of the semiconductor device can be improved.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication associé. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat à semi-conducteur de premier type conducteur (1001), une grille formée sur le substrat à semi-conducteur (1001), une région hautement dopée (1008) du premier type conducteur et une région hautement dopée (1012) du second type conducteur formée dans le substrat à semi-conducteur (1001) le long des deux côtés de la grille, respectivement, la région hautement dopée (1012) du second type conducteur étant séparée du substrat à semi-conducteur (1001) par une couche diélectrique (1011') au niveau de l'extrémité d'un côté de la grille. Les performances de commutation du dispositif à semi-conducteur peuvent être optimisées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)