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1. (WO2011123792) DÉPÔT DE FILMS CONTENANT DES NITRURES MÉTALLIQUES EN UTILISANT UNE COMBINAISON DE PRÉCURSEURS MÉTALLIQUES AMINÉS ET HALOGÉNÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/123792    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/030957
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 01.04.2011
CIB :
C23C 16/448 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75 quai d'Orsay F-75007 Paris (FR) (Tous Sauf US).
HIGASHINO, Katsuko [JP/US]; (US) (US Seulement).
YANAGITA, Kazutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIGASHINO, Katsuko; (US).
YANAGITA, Kazutaka; (JP)
Mandataire : MCQUEENEY, Patricia E.; Air Liquide USA, LLC 2700 Post Oak Blvd. Suite 1800 Houston, Texas 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
61/320,236 01.04.2010 US
Titre (EN) METAL NITRIDE CONTAINING FILM DEPOSITION USING COMBINATION OF AMINO-METAL AND HALOGENATED METAL PRECURSORS
(FR) DÉPÔT DE FILMS CONTENANT DES NITRURES MÉTALLIQUES EN UTILISANT UNE COMBINAISON DE PRÉCURSEURS MÉTALLIQUES AMINÉS ET HALOGÉNÉS
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are methods of forming metal-nitride-containing films from the combination of amino-metal precursors and halogenated metal precursors, preferably forming SiN-containing films from the combination of aminosilane precursors and chlorosilane precursors. Varying the sequential reaction of the amino-metal precursors and halogenated metal precursors provide for the formation of metal-nitride-containing films having varying stoichiometry. In addition, the metal-nitride-containing film composition may be modified based upon the structure of aminometal precursor. The disclosed processes may be thermal processes or plasma processes at low temperatures.
(FR)L'invention concerne des procédés de formation de films contenant des nitrures métalliques à partir de la combinaison de précurseurs métalliques aminés et de précurseurs métalliques halogénés, de préférence de formation de films contenant du SiN à partir de la combinaison de précurseurs à base d'aminosilane et de précurseurs à base de chlorosilane. En faisant varier la réaction séquentielle des précurseurs métalliques aminés et halogénés, on obtient des films contenant des nitrures métalliques avec une stœchiométrie variable. De plus, la composition des films contenant des nitrures métalliques peut être modifiée en fonction de la structure du précurseur métallique aminé. Les procédés décrits peuvent être des procédés thermiques ou des procédés par plasma à basse température.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)