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1. (WO2011123528) COUCHE BARRIÈRE DE DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/123528    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/030515
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 30.03.2011
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 31/073 (2012.01)
Déposants : FIRST SOLAR, INC [US/US]; 28101 Cedar Park Boulevard Perrysburg, OH 43551 (US) (Tous Sauf US).
ZHAO, Zhibo [US/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Yu [US/US]; (US) (US Seulement).
BULLER, Benyamin [IL/US]; (US) (US Seulement).
BURROWS, Keith, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRISKO, Annette [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHAO, Zhibo; (US).
YANG, Yu; (US).
BULLER, Benyamin; (US).
BURROWS, Keith, J.; (US).
KRISKO, Annette; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro LLP 1825 Eye Street, NW Washington, DC 20006-5403 (US)
Données relatives à la priorité :
61/319,683 31.03.2010 US
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE BARRIER LAYER
(FR) COUCHE BARRIÈRE DE DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
Abrégé : front page image
(EN)A structure including a barrier layer adjacent to a substrate, a transparent conductive oxide layer adjacent to the barrier layer, and a buffer layer adjacent to the transparent conductive oxide layer. In the structure, the barrier layer includes a silicon aluminum oxide, the transparent conductive oxide layer includes cadmium and tin and the buffer layer comprises tin oxide. A photovoltaic device that includes the described structure along with a semiconductor window layer adjacent to the buffer layer and a semiconductor absorber layer adjacent to the semiconductor window layer. Methods of manufacturing a photovoltaic structure are also disclosed, as well as a sputter target for use in the manufacture of a photovoltaic device and methods of manufacturing the same.
(FR)L'invention concerne une structure comprenant une couche barrière adjacente à un substrat, une couche transparente d'oxyde conducteur adjacente à la couche barrière, et une couche tampon adjacente à la couche transparente d'oxyde conducteur. Dans la structure, la couche barrière comprend un oxyde de silicium et d'aluminium, la couche transparente d'oxyde conducteur comprend du cadmium et de l'étain, et la couche tampon comprend de l'oxyde d'étain. L'invention concerne également un dispositif photovoltaïque qui comprend la structure décrite ainsi qu'une couche de fenêtre semi-conductrice adjacente à la couche tampon et une couche absorbante semi-conductrice adjacente à la couche de fenêtre semi-conductrice. L'invention concerne aussi des procédés de fabrication d'une structure photovoltaïque, ainsi qu'une cible de pulvérisation cathodique à utiliser dans la fabrication d'un dispositif photovoltaïque et les procédés de fabrication de cette cible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)