WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011123373) PROCÉDÉ D'INTÉGRATION DE DIÉLECTRIQUES À FAIBLE COEFFICIENT K
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/123373    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/030133
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 28.03.2011
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/263 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku Tokyo, 107-6325 (JP) (Tous Sauf US).
LIU, Junjun [CN/US]; (US) (US Seulement).
TOMA, Dorel, I. [US/US]; (US) (US Seulement).
YUE, Hongyu [US/US]; (US) (US Seulement).
FAGUET, Jacques [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIU, Junjun; (US).
TOMA, Dorel, I.; (US).
YUE, Hongyu; (US).
FAGUET, Jacques; (US)
Mandataire : STRANG, Eric; 2545 W. Frye Road, Suite 1 Chandler, AZ 85224 (US)
Données relatives à la priorité :
13/072,662 25.03.2011 US
13/072,663 25.03.2011 US
13/072,668 25.03.2011 US
61/318,719 29.03.2010 US
Titre (EN) METHOD FOR INTEGRATING LOW-K DIELECTRICS
(FR) PROCÉDÉ D'INTÉGRATION DE DIÉLECTRIQUES À FAIBLE COEFFICIENT K
Abrégé : front page image
(EN)A method for treating a dielectric film on a substrate and, in particular, a method for integrating a low-k dielectric film with subsequently formed metal interconnects is described. The method includes preparing a dielectric film on a substrate, wherein the dielectric film is a low-k dielectric film having a dielectric constant less than or equal to a value of about 4. Thereafter, the method further includes performing a preliminary curing process on the dielectric film, forming a pattern in the dielectric film using a lithographic process and an etching process, removing undesired residues from the substrate, and performing a final curing process on the dielectric film, wherein the final curing process includes irradiating the substrate with ultraviolet (UV) radiation.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement d'un film diélectrique sur un substrat et, en particulier, sur un procédé d'intégration d'un film diélectrique à faible coefficient k avec des interconnexions métalliques formées ensuite. Le procédé comprend la préparation d'un film diélectrique sur un substrat, le film diélectrique étant un film diélectrique à faible coefficient k, dont la constante diélectrique est inférieure ou égale à une valeur d'environ 4. Ensuite, le procédé comprend en outre l'exécution d'un traitement de durcissement préliminaire sur le film diélectrique, la formation d'un motif dans le film diélectrique à l'aide d'un traitement lithographique et d'un traitement de gravure, l'élimination des résidus non voulus sur le substrat et l'exécution d'un traitement de durcissement final du film diélectrique, le traitement de durcissement final comprenant une exposition du substrat à un rayonnement ultraviolet.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)