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1. (WO2011123333) DISPOSITIF LDMOS À CORPS DOPÉ P POUR CAPACITANCE RÉDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/123333    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/029873
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 24.03.2011
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : VOLTERRA SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 47467 Fremont Boulevard Fremont, California 94538 (US) (Tous Sauf US).
ZUNIGA, Marco A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZUNIGA, Marco A.; (US)
Mandataire : SARKAR, Indranil; Fish & Richardson P.C. P. O. Box 1022 Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Données relatives à la priorité :
12/752,073 31.03.2010 US
Titre (EN) LDMOS DEVICE WITH P-BODY FOR REDUCED CAPACITANCE
(FR) DISPOSITIF LDMOS À CORPS DOPÉ P POUR CAPACITANCE RÉDUITE
Abrégé : front page image
(EN)A transistor includes an n-well implanted in a substrate, a source region including a p-body region, a n+ region and a p+ region in the p-body region, a drain region comprising a n+ region, and a gate between the source region and the drain region. The p-body region includes a first implant region having a first depth, a first lateral spread and a first concentration of a p-type impurity, and a second implant region having a second depth, a second lateral spread and a second concentration of the p-type impurity. The second depth is less than the first depth, the second lateral spread is greater than the first lateral spread and the second concentration is greater than the first concentration. The p+ region and n+ region abut the second implant region.
(FR)La présente invention concerne un transistor comportant un puits dopé N implanté dans un substrat, une région source incluant une région de corps dopé P, et une région N+ et une région P+ dans la région du corps dopé P, une région collecteur comprenant une région N+ et une grille entre la région source et la région collecteur. La région du corps dopé P comporte une première région d'implantation caractérisée par une première profondeur, par une première extension latérale et par une première concentration d'impureté de type P, et une seconde région d'implantation caractérisée par une seconde profondeur, par une seconde extension latérale, et par une seconde concentration de l'impureté de type P. La seconde profondeur est inférieure à la première, la seconde extension latérale est supérieure à la première extension latérale, et la seconde concentration est supérieure à la première concentration. La région P+ et la région N+ aboutissent à la seconde région d'implantation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)