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1. (WO2011123199) STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES SOUDÉES ET LEUR PROCÉDÉ DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/123199    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/025647
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 22.02.2011
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01)
Déposants : SOITEC [FR/FR]; Chemin des Franques Parc Technologique des Fontaines F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
MAZURE, Carlos [DE/FR]; (FR) (US Seulement).
NGUYEN, Bich-Yen [US/US]; (US) (US Seulement).
SADAKA, Mariam [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MAZURE, Carlos; (FR).
NGUYEN, Bich-Yen; (US).
SADAKA, Mariam; (US)
Mandataire : GUNN, J., Jeffrey; TraskBritt 230 South 500 East, Suite 300 P.O. Box 2550 Salt Lake City, UT 84110-2550 (US)
Données relatives à la priorité :
61/319,495 31.03.2010 US
Titre (EN) BONDED SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND METHOD OF FORMING SAME
(FR) STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES SOUDÉES ET LEUR PROCÉDÉ DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming semiconductor structures include transferring a portion (116a) of a donor structure to a processed semiconductor structure (102) that includes at least one non-planar surface. An amorphous film (144) may be formed over at least one non-planar surface of the bonded semiconductor structure, and the amorphous film may be planarized to form one or more planarized surfaces. Semiconductor structures include a bonded semiconductor structure having at least one non-planar surface, and an amorphous film disposed over the at least one non-planar surface. The bonded semiconductor structure may include a processed semiconductor structure and a portion of a single crystal donor structure attached to a non-planar surface of the processed semiconductor structure.
(FR)Des procédés de formation de structures semi-conductrices consistent à transférer une partie (116a) d'une structure de type donneur à une structure semi-conductrice traitée (102) qui comprend au moins une surface non plane. Un film amorphe (144) peut être formé sur une ou plusieurs surfaces non planes de la structure semi-conductrice soudée, et le film amorphe peut être planarisé pour former une ou plusieurs surfaces planarisées. Les structures semi-conductrices comportent une structure semi-conductrice soudée possédant au moins une surface non plane, et un film amorphe placé sur ladite surface. La structure semi-conductrice soudée peut inclure une structure semi-conductrice traitée et une partie d'une structure de type donneur monocristalline fixée à une surface non plane de ladite structure semi-conductrice traitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)