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1. (WO2011122853) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/122853    N° de la demande internationale :    PCT/KR2011/002188
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 30.03.2011
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; Seoul Square, 541, Namdaemunno 5-ga, Jung-gu Seoul 100-714 (KR) (Tous Sauf US).
CHOI, Chul Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHOI, Chul Hwan; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; 9th Fl. Hyun Juk Bldg., 832-41, Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2010-0028417 30.03.2010 KR
Titre (EN) SOLAR PHOTOVOLTAIC DEVICE AND A PRODUCTION METHOD FOR THE SAME
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(KO) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a solar photovoltaic device and a production method for the same. The solar photovoltaic device comprises: a rear surface electrode layer; a light absorbing layer which is disposed on the rear surface electrode layer; a projecting pattern which is disposed on the light absorbing layer; a first anti-reflection film which is disposed on the projecting pattern and has a first thickness; and a second anti-reflection film which is disposed on the projecting pattern and has a second thickness that is less than the first thickness.
(FR)L'invention concerne un dispositif photovoltaïque solaire et son procédé de production. Le dispositif photovoltaïque solaire comprend : une couche d'électrode de surface arrière ; une couche absorbant la lumière disposée sur la couche d'électrode de surface arrière ; un motif faisant saillie disposé sur la couche absorbant la lumière ; un premier film anti-réfléchissant qui est disposé sur le motif faisant saillie et possède une première épaisseur ; et un second film anti-réfléchissant disposé sur le motif faisant saillie et possédant une seconde épaisseur inférieure à la première épaisseur.
(KO)태양광 발전장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양광 발전장치는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치 돌기 패턴; 상기 돌기 패턴에 배치되며, 제 1 두께를 가지는 제 1 반사 방지막; 및 상기 돌기 패턴에 배치되며, 상기 제 1 두께보다 더 작은 제 2 두께를 가지는 제 2 반사 방지막을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)