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1. (WO2011122433) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/122433    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/057147
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 24.03.2011
CIB :
H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : NICHIA CORPORATION [JP/JP]; 491-100, Oka, Kaminaka-cho, Anan-shi, Tokushima 7748601 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEDA, Mitsumasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Hidetoshi; (JP).
TAKEDA, Mitsumasa; (JP)
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-079951 31.03.2010 JP
2010-217050 28.09.2010 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light emitting element wherein adhesion between an insulating layer and a semiconductor layer is improved, while having a current controllable by means of the insulating layer. The semiconductor light emitting element is provided with: the semiconductor layer; a first electrode and a second electrode, which are provided to sandwich the semiconductor layer; the insulating layer, which is provided on the same semiconductor layer surface, on which the second electrode is formed, such that the insulating layer surrounds the circumference of the second electrode and faces the first electrode; and a first metal layer which covers the second electrode and the insulating layer. A second metal layer having a thickness smaller than that of the second electrode is provided between the semiconductor layer and the insulating layer.
(FR)L'invention porte sur un élément émetteur de lumière à semi-conducteurs, dans lequel élément l'adhérence entre une couche isolante et une couche semi-conductrice est améliorée, tout en ayant un courant pouvant être commandé à l'aide de la couche isolante. L'élément émetteur de lumière à semi-conducteurs comporte : la couche semi-conductrice ; une première électrode et une seconde électrode, qui sont disposées de façon à prendre en sandwich la couche semi-conductrice ; la couche isolante, qui est disposée sur la même surface de la couche semi-conductrice que celle sur laquelle est formée la seconde électrode, de telle sorte que la couche isolante entoure la périphérie de la seconde électrode et fait face à la première électrode ; et une première couche métallique qui recouvre la seconde électrode et la couche isolante. Une seconde couche métallique ayant une épaisseur inférieure à celle de la seconde électrode est disposée entre la couche semi-conductrice et la couche isolante.
(JA) 絶縁層による電流制御を可能としたまま、絶縁層と半導体層との密着性を向上させた半導体発光素子を提供する。 本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層を挟んで設けられる第1電極および第2電極と、前記第2電極と同一面側で、前記第2電極の周囲を囲むように前記第1電極と対向して前記半導体層に設けられる絶縁層と、前記第2電極および前記絶縁層を覆う第1金属層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に、前記第2電極の膜厚よりも薄い膜厚を有する第2金属層が設けられていることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)