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1. (WO2011122407) SUBSTRAT DE BASE MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/122407    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/056914
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 23.03.2011
CIB :
B32B 15/04 (2006.01), H05K 1/05 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
MORIYA, Yoichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATSUBE, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEMORI, Yuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIMOTO, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKADA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORIYA, Yoichi; (JP).
KATSUBE, Tsuyoshi; (JP).
TAKEMORI, Yuki; (JP).
SUGIMOTO, Yasutaka; (JP).
TAKADA, Takahiro; (JP)
Mandataire : KOSHIBA, Masaaki; Koshiba Patent Office, 13-8, Hyakurakuen 3-chome, Nara-shi, Nara 6310024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-076686 30.03.2010 JP
Titre (EN) METAL BASE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE BASE MÉTALLIQUE
(JA) 金属ベース基板
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a metal base substrate which comprises a low-temperature sintering ceramic layer formed on a metal substrate, and in which the low-temperature sintering ceramic layer is not prone to cracking or peeling at the interface with the metal substrate, and the anti-peeling strength of the surface conductor is improved while making it possible for the metal substrate to be configured from copper. In the metal base substrate (12) provided with a metal substrate (14) and a low-temperature sintering ceramic layer (15) formed thereon, the thermal expansion coefficient of the metal substrate (14) is greater than that of the low-temperature sintering ceramic layer (15); the average difference in thermal expansion coefficients between the metal substrate (14) and the low-temperature sintering ceramic layer (15) at 25-400C is 4-9 ppm/degree celsius; the Young's modulus of the low-temperature sintering ceramic layer (15) is less than 120 GPa; and the flexural strength is 200MPa or higher.
(FR)La présente invention concerne un substrat de base métallique qui se distingue, d'une part en ce qu'il comprend une couche de céramique à basse température de frittage réalisée sur un substrat métallique, d'autre part en ce que la couche de céramique à basse température de frittage n'a pas tendance à se craqueler ni à se délaminer à l'interface avec le substrat métallique, et enfin en ce que la résistance au délaminage du conducteur de surface est amélioré même lorsque le substrat de métal est fait à partir de cuivre. En l'occurrence, dans le substrat de base métallique (12) pourvu d'un substrat de métal (14) sur lequel est réalisée une couche de céramique à basse température de frittage (15), on constate que le coefficient de dilatation du substrat métallique (14) est supérieur à celui de la couche de céramique à basse température de frittage (15), qu'entre 25°C et 400°C, l'écart moyen entre les coefficients de dilatation du substrat métallique (14) et de la couche de céramique à basse température de frittage (15) est de 4 à 9 ppm/°C, et que le module de Young de la couche de céramique à basse température de frittage (15) est inférieur à 120 GPa, alors que la résistance à la flexion est d'au moins 200 MPa.
(JA) 金属板上に低温焼結セラミック層を形成した、金属ベース基板において、金属板を銅から構成することを可能にしながら、金属板との界面において低温焼結セラミック層にクラックや剥離が生じにくく、表面導体の耐剥離強度を向上させる。 金属板(14)と、その上に形成された低温焼結セラミック層(15)とを備える、金属ベース基板(12)において、金属板(14)の熱膨張係数は低温焼結セラミック層(15)の熱膨張係数より大きく、金属板(14)と低温焼結セラミック層(15)との25~400℃での平均熱膨張係数差が4~9ppm/℃以下であり、かつ、低温焼結セラミック層(15)のヤング率が120GPa未満であり、かつ抗折強度が200MPa以上である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)