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1. (WO2011122281) DISPOSITIF D'ANALYSE DU RAYONNEMENT TÉRAHERTZ ET PROCÉDÉ D'ANALYSE DU RAYONNEMENT TÉRAHERTZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/122281    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/055582
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 10.03.2011
CIB :
G01N 21/21 (2006.01), G01N 21/35 (2006.01)
Déposants : Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMOTO Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YATSUGI Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGASHIMA Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMOTO Naoki; (JP).
YATSUGI Kenichi; (JP).
NAGASHIMA Takeshi; (JP)
Mandataire : Kaede Patent Attorneys' Office; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-077018 30.03.2010 JP
Titre (EN) TERAHERTZ RADIATION ANALYSIS DEVICE AND METHOD OF ANALYZING TERAHERTZ RADIATION
(FR) DISPOSITIF D'ANALYSE DU RAYONNEMENT TÉRAHERTZ ET PROCÉDÉ D'ANALYSE DU RAYONNEMENT TÉRAHERTZ
(JA) テラヘルツ分光分析装置およびテラヘルツ分光分析方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method of analyzing terahertz radiation capable of deriving the physical properties of materials for a semiconductor without using special additional facilities. In the method of analyzing terahertz radiation, pulse light is irradiated onto a sample when a magnetic field is being applied, and time waveforms (Rsp, Rpp) of reflected waves reflected from the sample are detected (S6 to S7, S9 to S10). Also, pulse light is irradiated onto the sample when no magnetic field is being applied, and time waveforms (Rp, Rs) of reflected waves reflected from the sample are detected (S1 to S2, S3 to S4). Further, based on the time waveforms (Rp, Rs, Rsp, Rpp) the diagonal component (εxx) and the non-diagonal component (εxy) of a complex permittivity tensor are derived when a magnetic field is being applied to the sample (S5, S8, S11 to S12). Thereby, the physical properties of materials for a sample are derived (S13), which includes the diagonal component (εxx) and the non-diagonal component (εxy) as parameters.
(FR)Cette invention concerne un procédé d'analyse du rayonnement térahertz capable de dériver les propriétés physiques de matériaux pour un semi-conducteur sans recourir à des structures supplémentaires spéciales. Dans ce procédé d'analyse, de la lumière pulsée est envoyée sur un échantillon sur lequel s'applique un champ magnétique, et les formes d'onde temporelles (Rsp, Rpp) des ondes réfléchies et renvoyées par l'échantillon sont détectées (S6 à S7, S9 à S10). La lumière pulsée est également envoyée sur l'échantillon sans application de champ magnétique, et les formes d'onde (Rp, Rs) des ondes réfléchies et renvoyées par l'échantillon sont détectées (S1 à S2, S3 à S4). Par ailleurs, les formes d'onde (Rp, Rs, Rsp, Rpp) servent à dériver la composante diagonale (εxx) et la composante non diagonale (εxy) d'un champ tensoriel de permittivité complexe lorsqu'un champ magnétique est appliqué sur l'échantillon (S5, S8, S11 à S12). Les propriétés physiques des matériaux d'un échantillon sont ainsi dérivées (S13) et incluent la composante diagonale (εxx) et la composante non diagonale (εxy) comme paramètres.
(JA)特殊な追加設備を用いずに、半導体の材料物性値を導出できるテラヘルツ分光分析方法を提供する。テラヘルツ分光分析方法では、磁場印加状態の試料に対してパルス光を照射し、試料に反射された反射波の時間波形Rsp,Rppを検出する(S6~S7,S9~S10)。また、無磁場状態の試料に対してパルス光を照射し、試料に反射された反射波の時間波形R,Rを検出する(S1~S2,S3~S4)。また、時間波形R,R,Rsp,Rppに基づいて、試料の磁場印加状態での複素誘電率テンソルの対角成分εxxおよび非対角成分εxyを導出する(S5,S8,S11~S12)。そして、対角成分εxxおよび非対角成分εxyをパラメータに含む試料の材料物性値を導出する(S13)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)