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1. (WO2011120389) BOÎTIER POUR SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/120389    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/072016
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 21.03.2011
CIB :
H01L 23/367 (2006.01), H01L 33/64 (2010.01)
Déposants : HONG KONG APPLIED SCIENCE AND TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE CO., LTD [CN/CN]; 3rd Floor, Bio-Informatics Centre, 2 Science Park West Avenue, Hong Kong Science Park, Shatin N.T. Hong Kong (CN) (Tous Sauf US).
LIN, Jyh-Rong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LU, Ming [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : LIN, Jyh-Rong; (CN).
LU, Ming; (CN)
Mandataire : CHINA TRUER IP; Suite 2209, Block B, Jia Zhao Ye Centre, Shangbu Road Futian District Shenzhen, Guangdong 518031 (CN)
Données relatives à la priorité :
12/751,741 31.03.2010 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) BOÎTIER POUR SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor package and a method of manufacturing the same are provided. The semiconductor package (200) comprises a substrate (210) with a through hole (218) penetrating therethrough; a semiconductor chip (211) positioned on the substrate (210) covering the through hole (218); and a thermal conductive device (217) filling the through hole (218) and contacting the semiconductor chip (211). The thermal resistance in the structure of the semiconductor package is substantially reduced and thus desirable performance of heat spreading or dissipation is achieved. In addition, the production cost and size of the semiconductor package are also reduced.
(FR)L'invention concerne un boîtier pour semiconducteur et un procédé de fabrication de celui-ci. Le boîtier pour semiconducteur (200) comprend un substrat (210) avec un trou traversant (218) qui le traverse; une puce semiconductrice (211) placée sur le substrat (210) et recouvrant le trou traversant (218); et un dispositif thermoconducteur (217) qui remplit le trou traversant (218) et qui établit le contact avec la puce semiconductrice (211). La résistance thermique dans la structure du boîtier pour semiconducteur est substantiellement réduite, ce qui permet d'atteindre les performances voulues en termes de diffusion ou de dissipation de la chaleur. En outre, le coût de production et la taille du boîtier pour semiconducteur sont également réduits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)