(EN) A method for etching a differential metal gate structure on a substrate is described. The differential metal gate structure includes a metal gate layer overlying a high dielectric constant (high-k) dielectric layer, wherein the metal gate layer comprises a different thickness at different regions on the substrate. The metal gate layer is patterned by using a plasma etching process, wherein at least one etch step includes forming plasma using a halogen-containing gas and at least one etch step includes forming plasma using an additive gas having as atomic constituents C, H, and F.
(FR) La présente invention se rapporte à un procédé permettant de graver une structure de grille métallique différentielle sur un substrat. La structure de grille métallique différentielle comprend une couche de grille métallique recouvrant une couche diélectrique à constante diélectrique élevée (k élevé), la couche de grille métallique comprenant une épaisseur différente au niveau de différentes régions sur le substrat. La couche de grille métallique est décorée d'un motif à l'aide d'un procédé de gravure par plasma, au moins une étape de gravure comprenant la formation du plasma à l'aide d'un gaz contenant l'halogène et au moins une étape de gravure comprenant la formation du plasma à l'aide d'un gaz additif ayant le carbone (C), l'hydrogène (H) et le fluor (F) comme constituants atomiques.