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1. WO2011119158 - SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE COMPENSATION DE PERTE DE TENSION DE FIL DE RANGÉE DANS DES RÉSEAUX CROSSBAR

Numéro de publication WO/2011/119158
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/US2010/028594
Date du dépôt international 25.03.2010
CIB
G11C 7/06 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
06Amplificateurs de lecture; Circuits associés
G11C 7/10 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10Dispositions d'interface d'entrée/sortie de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
G11C 5/14 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
5Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
14Dispositions pour l'alimentation
CPC
G11C 13/0002
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
G11C 13/0007
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0007comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
G11C 13/004
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
004Reading or sensing circuits or methods
G11C 13/0061
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
0061Timing circuits or methods
G11C 2013/0054
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0021Auxiliary circuits
004Reading or sensing circuits or methods
0054Read is performed on a reference element, e.g. cell, and the reference sensed value is used to compare the sensed value of the selected cell
G11C 2213/77
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
77Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
Déposants
  • HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • CARTER, Richard, J. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • CARTER, Richard, J.
Mandataires
  • COLLINS, David, W.
Données relatives à la priorité
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEMS AND METHODS FOR ROW-WIRE VOLTAGE-LOSS COMPENSATION IN CROSSBAR ARRAYS
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE COMPENSATION DE PERTE DE TENSION DE FIL DE RANGÉE DANS DES RÉSEAUX CROSSBAR
Abrégé
(EN) Embodiments of the present invention are directed systems and methods for reading the resistance states of crossbar junctions of a crossbar array. In one aspect, a system includes one or more sense amplifiers (512-514) connected to column wires of the crossbar array, a reference row wire (516) connected to each sense amp, and a wire driver (518) connected to the reference row wire and configured to drive the reference row wire. The sense amplifiers are configured so that when a selected row wire of the crossbar array is driven by a sense voltage, the column wires are held at approximately zero volts and pass currents through the column wires and sense amplifiers to the reference row wire so that resistive voltage losses along the reference row wire substantially mirror the resistive voltage losses along the selected row wire, allowing the sense amplifiers to determine the crossbar junction resistance states.
(FR) Selon des modes de réalisation, la présente invention porte sur des systèmes et sur des procédés pour lire les états de résistance de jonctions crossbar d'un réseau crossbar. Sous un aspect, un système comprend un ou plusieurs amplificateurs de détection (512-514) connectés à des fils de colonne du réseau crossbar, un fil de rangée de référence (516) connecté à chaque amplificateur de détection, et un dispositif de commande de fil (518) connecté au fil de rangée de référence et configuré de façon à commander le fil de rangée de référence. Les amplificateurs de détection sont configurés de telle sorte que, lorsqu'un fil de rangée sélectionné du réseau crossbar est commandé par une tension de détection, les fils de colonne sont maintenus approximativement à zéro volt et font passer des courants à travers les fils de colonne et les amplificateurs de détection vers le fil de rangée de référence, de telle sorte que des pertes de tension résistives le long du fil de rangée de référence reflètent sensiblement les pertes de tension résistives le long du fil de rangée sélectionné, permettant aux amplificateurs de détection de déterminer les états de résistance de jonctions crossbar.
Documents de brevet associés
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