(EN) In various embodiments, an image sensor and method of using an image sensor are described. In an example embodiment, the image sensor comprises a semiconductor substrate and a plurality of pixel regions with each pixel region comprising an optically sensitive material over the substrate and positioned to receive light. There is a bias electrode for each pixel region, with the bias electrode configured to provide a bias voltage to the optically sensitive material of the respective pixel region. Also included is a pixel circuit for each pixel region with each pixel circuit comprising a charge store formed on the semiconductor substrate and a read out circuit, the charge store being in electrical communication with the optically sensitive material of the respective pixel region.
(FR) Selon divers modes de réalisation, la présente invention a trait à un capteur d'image et à un procédé d'utilisation d'un capteur d'image. Selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le capteur d'image comprend un substrat semi-conducteur et une pluralité de zones de pixel, chaque zone de pixel comprenant un matériau photosensible située au-dessus du substrat et placé de manière à recevoir la lumière. Une électrode de polarisation est également prévue pour chaque zone de pixel, ladite électrode de polarisation étant configurée de manière à fournir une tension de polarisation au matériau photosensible de la zone de pixel respective. Un circuit de pixel est également prévu pour chaque zone de pixel, chacun desdits circuits de pixel comprenant une mémoire de charge formée sur le substrat semi-conducteur et un circuit de lecture, ladite mémoire de charge étant en communication électrique avec le matériau photosensible de la zone de pixel respective.
