(EN) Disclosed is a thin film formation method wherein a thin film is formed so as to be embedded in concave sections on the surface of a semiconductor wafer which is the object to be treated and which has concave sections (8) in the surface thereof. The method comprises: a step wherein a metallic film (16) for embedding is formed on the surface of a semiconductor wafer, and is embedded into the concave sections; a step wherein a metallic film (18) for preventing diffusion is formed on the entire surface of the semiconductor wafer which is the object to be treated, so as to cover the other metallic film (16); and a step wherein the semiconductor wafer, which is the object to be treated, is annealed.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film mince, dans lequel un film mince est formé afin d'être intégré dans des sections concaves à la surface d'une tranche de semi-conducteur qui constitue l'objet à traiter et qui possède des sections concaves (8) ménagées dans sa surface. Le procédé comprend : une étape dans laquelle un film métallique (16) à intégrer est formé à la surface d'une tranche de semi-conducteur et est intégré dans les sections concaves; une étape dans laquelle un film métallique (18) destiné à empêcher la diffusion est formé sur la totalité de la surface de la tranche de semi-conducteur qui constitue l'objet à traiter, afin de recouvrir l'autre film métallique (16); et une étape dans laquelle la tranche de semi-conducteur, qui constitue l'objet à traiter, est recuite.
(JA) 表面に凹部８を有する被処理体である半導体ウエハの表面に凹部を埋め込むように薄膜を形成する薄膜の形成方法は、半導体ウエハの表面に埋め込み用の金属膜１６を形成して凹部を埋め込む工程と、金属膜１６を覆うようにして被処理体である半導体ウエハの表面の全面に拡散防止用の金属膜１８を形成する工程と、被処理体である半導体ウエハをアニールする工程とを有する。
