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1. WO2011114675 - PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM, SOLUTION D'ATTAQUE, DISPOSITIF DE GRAVURE, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2011/114675
Date de publication 22.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/001431
Date du dépôt international 11.03.2011
CIB
H01L 31/04 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
H01L 21/306 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/308 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308en utilisant des masques
CPC
H01L 31/02363
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
02363of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Déposants
  • 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 安永 望 YASUNAGA, Nozomu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 安永 望 YASUNAGA, Nozomu
Mandataires
  • 高橋 省吾 TAKAHASHI, Shogo
Données relatives à la priorité
2010-05934816.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR ETCHING A SILICON WAFER, ETCHING SOLUTION, ETCHING DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM, SOLUTION D'ATTAQUE, DISPOSITIF DE GRAVURE, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) シリコンウェハのエッチング方法、エッチング液、エッチング装置、および半導体装置
Abrégé
(EN) In order to improve the light absorption of cells in solar power generation devices, an etching method needs to be found that can inexpensively and reliably produce higher-density patterns, can efficiently reduce light reflectance, and uses an alkaline solution. The disclosed method, which uses wet etching to form a pattern on the surface of a silicon wafer used in a cell in a solar power generation device, uses an etching solution containing water, an alkali, and 1,6-hexanediol.
(FR) La présente invention a pour but d'améliorer l'absorption de la lumière par les cellules de dispositifs de production d'énergie solaire, en proposant un procédé de gravure qui permet de former à moindre coût et de façon fiable des motifs avec une densité plus élevée et de réduire efficacement le facteur de réflexion de la lumière, et qui utilise une solution alcaline. Le procédé décrit, qui repose sur la gravure humide pour former un motif sur la surface d'une plaquette de silicium employée dans un dispositif de production d'énergie solaire, utilise une solution d'attaque contenant de l'eau, un alcali et du 1,6-hexanediol.
(JA) 太陽光発電装置のセルの光吸収を促進するため、安価で、安定して、より高密度にテクスチャを形成でき、光の反射率を効率よく低減できる、アルカリ性溶液を使用したウェットエッチングの方法を見出すことが課題である。太陽発電装置のセルを構成するシリコンウェハの表面に凹凸を形成するウェットエッチングによるエッチング方法であって、水、アルカリ、および1,6-ヘキサンジオールを含有するエッチング液を用いてエッチングを行うようにした。
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