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1. WO2011112963 - COIFFAGE DES DÉFAUTS POUR OBTENIR DES ARTICLES ÉPITAXIAUX À DENSITÉ DE DÉFAUTS RÉDUITE

Lien permanent
Numéro de publication WO/2011/112963
Date de publication 15.09.2011
N° de la demande internationale PCT/US2011/028144
Date du dépôt international 11.03.2011
CIB
H01L 21/20 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
CPC
C30B 25/186
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
186being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
H01L 21/0201
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02378Silicon carbide
H01L 21/02389
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02389Nitrides
Déposants
  • SINMAT, INC. (AllExceptUS)
  • UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. (AllExceptUS)
  • SINGH, Rajiv, K. [US]/[US] (UsOnly)
  • ARJUNAN, Arul, Chakkaravarthi [US]/[US] (UsOnly)
  • SINGH, Deepika (UsOnly)
Inventeurs
  • SINGH, Rajiv, K.
  • ARJUNAN, Arul, Chakkaravarthi
  • SINGH, Deepika
Mandataires
  • JETTER, Neil, R.
Données relatives à la priorité
12/723,30912.03.2010US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DEFECT CAPPING FOR REDUCED DEFECT DENSITY EPITAXIAL ARTICLES
(FR) COIFFAGE DES DÉFAUTS POUR OBTENIR DES ARTICLES ÉPITAXIAUX À DENSITÉ DE DÉFAUTS RÉDUITE
front page image
Abrégé
(EN) An epitaxial article (100) includes an epitaxial substrate (120) providing a substrate surface (103) having a substrate surface composition including crystalline defect or amorphous regions (111) and crystalline non-defect regions (112). The crystalline defect or amorphous regions are recessed from the substrate surface by surface recess regions, where a capping material (108) fills the surface recess regions to provide capped defects 113(a) that extend from a top of the defect regions to the substrate surface. The capping material is compositionally different from the substrate surface composition. An epitaxial layer (115) over the substrate surface provides an average crystalline defect density in at least one area having a size ≥ 0.5 μm2 that is ≥ two times lower than an average crystalline defect density in that area at or below the substrate surface.
(FR) Un article épitaxial (100) selon l'invention comprend un substrat épitaxial (120) offrant une surface de substrat (103) ayant une composition comprenant des régions de défauts cristallins ou amorphes (111) et des régions cristallines indemnes de défauts (112). Les régions de défauts cristallins ou amorphes sont en retrait par rapport à la surface du substrat, dans des régions d'évidements superficiels, et un matériau de coiffage (108) vient combler ces régions d'évidements superficiels pour obtenir des défauts coiffés 113(a) qui s'étendent depuis une partie supérieure desdites régions de défauts jusqu'à la surface du substrat. Le matériau de coiffage a une composition différente de la composition superficielle du substrat. Une couche épitaxiale (115) sur la surface du substrat donne une densité de défauts cristallins moyenne sur au moins une zone ayant une taille ≥ 0,5 μm2 qui est jusqu'à deux fois inférieure à une densité de défauts cristallins moyenne dans cette même zone, à la surface du substrat ou en-dessous.
Documents de brevet associés
US20110221039
EP2545582
KR1020120137411
JP2013535090
US20130237041
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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