(EN) The present invention relates to a method for manufacturing a CIGS thin film using chemical vapor deposition or atomic layer deposition by simultaneously or sequentially feeding respective precursors into a chamber. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing a CIGS thin film using chemical vapor deposition by simultaneously feeding a copper (Cu) precursor, an indium (In) precursor, a gallium (Ga) precursor, and a selenium (Se) precursor onto a substrate mounted inside a vacuum chamber or by feeding a combination of at least two of the precursors, or relates to a method for manufacturing a CIGS thin film on a substrate by using atomic layer deposition, wherein the method includes the steps of: 1) positioning a substrate in a vacuum chamber and maintaining the substrate at a specific reaction temperature; 2) feeding a copper precursor into the vacuum chamber and allowing the copper precursor to react with the substrate; 3) performing a first purge for removing unreacted substances and by-products; 4) feeding an indium precursor into the vacuum chamber and allowing the indium precursor to react with the substrate; 5) performing a second purge for removing unreacted substances and by-products; 6) feeding a gallium precursor into the vacuum chamber and allowing the gallium precursor to react with the substrate; 7) performing a third purge for removing unreacted substances and by-products; 8) supplying a selenium precursor into the vacuum chamber and allowing the selenium precursor to react with the substrate; and 9) performing a fourth purge for removing unreacted substances and by-products. According to the present invention, a large area thin film can be provided with a short manufacturing time, high productivity, low manufacturing costs, and excellent film quality.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film mince CIGS qui utilise un dépôt chimique en phase vapeur ou un dépôt en couches atomiques en alimentant simultanément ou séquentiellement des précurseurs respectifs dans une chambre. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un film mince CIGS utilisant un dépôt chimique en phase vapeur en alimentant simultanément un précurseur en cuivre (Cu), un précurseur en indium (In), un précurseur en gallium (Ga) et un précurseur en sélénium (Se) sur un substrat monté à l'intérieur d'une chambre à vide ou en alimentant une combinaison d'au moins deux des précurseurs ou concerne un procédé de fabrication d'un film mince CIGS sur un substrat en utilisant un dépôt en couches atomiques dans lequel le procédé comprend les étapes de : 1) positionnement d'un substrat dans une chambre à vide et maintien du substrat à une température de réaction spécifique ; 2) alimentation d'un précurseur en cuivre dans la chambre à vide et autorisation que le précurseur en cuivre réagisse avec le substrat ; 3) réalisation d'une première purge destinée à retirer les substances n'ayant pas réagi et les sous-produits ; 4) alimentation d'un précurseur en indium dans la chambre à vide et autorisation que le précurseur en indium réagisse avec le substrat ; 5) réalisation d'une deuxième purge destinée à retirer les substances n'ayant pas réagi et les sous-produits ; 6) alimentation d'un précurseur en gallium dans la chambre à vide et autorisation que le précurseur en gallium réagisse avec le substrat ; 7) réalisation d'une troisième purge destinée à retirer les substances n'ayant pas réagi et les sous-produits ; 8) fourniture d'un précurseur en sélénium dans la chambre à vide et autorisation que le précurseur en sélénium réagisse avec le substrat ; et 9) réalisation d'une quatrième purge destinée à retirer les substances n'ayant pas réagi et les sous-produits. Selon la présente invention, un film mince à grande surface peut être doté d'un temps de fabrication court, d'une productivité élevée, de coûts de fabrication faibles et d'une excellente qualité de film.
(KO) 본 발명은 각 전구체를 챔버 내부에 동시 공급 또는 순차 공급하면서 화학기상 증착법 또는 원자층 증착법을 이용하여 CIGS 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 진공 챔버 내에 장착된 기판상에 구리(Cu) 전구체, 인듐(In) 전구체, 갈륨(Ga) 전구체, 및 셀레늄(Se) 전구체를 동시에 또는 이들 중 2가지 이상의 조합으로 공급하면서 화학기상 증착법을 이용하여 박막을 제조하거나, 1) 진공 챔버 내부에 기판을 위치시키고, 상기 기판을 특정한 반응 온도로 유지하는 단계; 2) 진공 챔버 내부로 구리 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 3) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제1 퍼징 단계; 4) 진공 챔버 내부로 인듐 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 5) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제2 퍼징 단계; 6) 진공 챔버 내부로 갈륨 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 7) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제3 퍼징 단계; 8) 진공 챔버 내부로 셀레늄 전구체를 공급하고 반응시키는 단계; 및 9) 미반응 물질 및 부산물을 제거하는 제4 퍼징 단계;를 포함하고, 원자층 증착법을 이용하여 기판상에 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 제조시간이 짧고, 생산성이 높으며, 제조단가가 낮고, 막질이 우수한 대면적 박막을 제공할 수 있다.