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1. WO2011108710 - FILM CRISTALLIN, DISPOSITIF ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE FILM CRISTALLIN ET DE DISPOSITIF

Numéro de publication WO/2011/108710
Date de publication 09.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/055085
Date du dépôt international 04.03.2011
CIB
H01L 21/20 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/205 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/268 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
CPC
C30B 33/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
04using electric or magnetic fields or particle radiation
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
H01L 21/02428
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02428Structure
H01L 21/02458
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02458Nitrides
H01L 21/0254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
0254Nitrides
Déposants
  • 並木精密宝石株式会社 NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 株式会社ディスコ DISCO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 会田 英雄 AIDA, Hideo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 青田 奈津子 AOTA, Natsuko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 星野 仁志 HOSHINO, Hitoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 古田 健次 FURUTA, Kenji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 浜元 友三郎 HAMAMOTO, Tomosaburo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 本庄 慶司 HONJO, Keiji [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 会田 英雄 AIDA, Hideo
  • 青田 奈津子 AOTA, Natsuko
  • 星野 仁志 HOSHINO, Hitoshi
  • 古田 健次 FURUTA, Kenji
  • 浜元 友三郎 HAMAMOTO, Tomosaburo
  • 本庄 慶司 HONJO, Keiji
Mandataires
  • アイアット国際特許業務法人 IAT WORLD PATENT LAW FIRM
Données relatives à la priorité
2010-04986005.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CRYSTALLINE FILM, DEVICE, AND PRODUCTION METHODS FOR CRYSTALLINE FILM AND DEVICE
(FR) FILM CRISTALLIN, DISPOSITIF ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE FILM CRISTALLIN ET DE DISPOSITIF
(JA) 結晶性膜、デバイス、及び、結晶性膜又はデバイスの製造方法
Abrégé
(EN) Disclosed are a crystalline film in which variations in the crystal axis following separation from a substrate for epitaxial growth have been resolved, and various devices in which the properties thereof have been improved by being provided with the crystalline film. Also disclosed are production methods for the crystalline film and the devices. A crystalline film with a thickness in the range of 300 μm to 10 mm is formed by means of epitaxial growth upon the surface of a single crystal substrate, which is the substrate for epitaxial growth, the crystalline film is thereafter separated from the single crystal substrate, the relative position in the thickness direction of the crystalline film where warping has occurred following separation is scanned by focusing a pulse laser in the interior of the crystalline film in the range of 3% to less than 50% in the thickness direction, on the assumption that the surface on the side curving in a concave shape is 0% and the surface curving in a convex shape is 100%, and a reforming region pattern is formed using multiphoton absorption from the pulse laser, thereby reducing or resolving the amount of warping of the crystalline film and reducing or resolving variations in the crystal axis angle.
(FR) La présente invention a trait à un film cristallin pour lequel il a été possible de supprimer les variations de l'axe du cristal suite à la séparation à partir d'un substrat en vue d'une croissance épitaxiale, et à divers dispositifs dont les propriétés ont été améliorées grâce au fait qu'ils soient équipés du film cristallin. La présente invention a également trait à des procédés de production du film cristallin et des dispositifs. Le film cristallin selon la présente invention doté d'une épaisseur comprise dans la plage allant de 300 μm à 10 mm est formé au moyen d'une croissance épitaxiale sur la surface d'un substrat monocristallin, qui est le substrat destiné à la croissance épitaxiale. Le film cristallin est par la suite séparé du substrat monocristallin et la position relative dans la direction de l'épaisseur du film cristallin où le gauchissement s'est produit suite à la séparation est balayée en concentrant un laser à impulsions à l'intérieur du film cristallin dans la plage de 3 % à moins de 50 % dans la direction de l'épaisseur, en se basant sur l'hypothèse que la surface du côté courbé pour former une surface concave est de 0 % et la surface se courbant pour former une surface convexe est de 100 %. Un motif de zone de reformation est formé à l'aide d'une absorption multiphoton à partir du laser à impulsions, ce qui permet de réduire ou de supprimer la quantité de gauchissement du film cristallin et de réduire ou de supprimer les variations de l'angle de l'axe du cristal.
(JA)  エピタキシャル成長用基板から分離後に、結晶軸のばらつきが解消された結晶性膜とその結晶性膜を備えることにより特性が改善された各種デバイスの提供、並びに結晶性膜とデバイスの製造方法を提供すること。 エピタキシャル成長用基板である単結晶基板の面上に、エピタキシャル成長により厚み300μm以上10mm以下の結晶性膜を形成し、次に、単結晶基板から結晶性膜を分離させ、分離後に反りが発生した結晶性膜の厚み方向の相対位置を、凹状に反っている側の面を0%と仮定し、凸状に反っている面を100%と仮定した際に、厚み方向の3%以上50%未満の範囲内の結晶性膜内部にパルスレーザを集光して走査し、パルスレーザによる多光子吸収を利用して改質領域パターンを形成することで、結晶性膜の反り量を減少又は解消し、結晶軸角度のばらつきを減少又は解消する。
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