(EN) A method is disclosed for deposition of thin film dielectrics, and in particular for chemical vapour deposition of nano-layer structures comprising multiple layers of dielectrics, such as, silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride and/or other silicon compatible dielectrics. The method comprises post-deposition surface treatment of deposited layers with a metal or semiconductor source gas, e.g. a silicon source gas. Deposition of silicon containing dielectrics preferably comprises silane-based chemistry for deposition of doped or undoped dielectric layers, and surface treatment of deposited dielectric layers with silane. Surface treatment provides dielectric layers with improved layer-to-layer uniformity and lateral continuity, and substantially atomically flat dielectric layers suitable for multilayer structures for electroluminescent light emitting structures, e.g. active layers containing rare earth containing luminescent centres. Doped or undoped dielectric thin films or nano-layer dielectric structures may also be provided for other semiconductor devices.
(FR) L'invention concerne un procédé de dépôt de diélectriques en film mince, et en particulier de dépôt chimique en phase vapeur de structures nanocouches comprenant de multiples couches de diélectriques tels que le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium, l'oxynitrure de silicium et/ou tout autre diélectrique compatible avec le silicium. Le procédé consiste à traiter après dépôt la surface de couches déposées avec un gaz source de métal ou de semi-conducteur, par exemple un gaz source de silicium. Le dépôt de diélectriques contenant du silicium repose de préférence sur la chimie des silanes pour le dépôt de couches diélectriques dopées ou non dopées, et le traitement de surface des couches diélectriques déposées avec des silanes. Le traitement de surface permet d'obtenir des couches diélectriques avec une uniformité de couche à couche et une continuité latérale améliorées, et des couches diélectriques sensiblement plates au niveau atomique convenant pour des structures multicouches destinées à des structures électroluminescentes, par exemple des couches actives contenant des centres luminescents contenant une terre rare. Les films minces diélectriques dopés ou non dopés ou les structures diélectriques nanocouches peuvent également servir à d'autres dispositifs semi-conducteurs.
