(EN) Disclosed is a lithography resist underlayer-forming composition for forming a resist underlayer that can be used as a hard mask. As the silane compound, the lithography resist underlayer-forming composition contains a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, or the hydrolysis condensation product thereof, wherein said silane compound includes a silane compound containing both an amide bond in the molecule and an organic group, which itself contains a carboxylate moiety, a carboxylic acid ester moiety or both. In one lithography resist underlayer-forming composition, the silane compound that contains both an amide bond and an organic group, which itself contains a carboxylate moiety, a carboxylic acid ester moiety or both, is present in a molar ratio of no greater than 5 mol% relative to the total amount of silane compound. In another lithography resist underlayer-forming composition, the silane compound that contains both an amide bond and an organic group, which itself contains a carboxylate moiety, a carboxylic acid ester moiety or both, is present in a molar ratio of between 0.5 and 4.9 mol% relative to the total amount of silane compound.
(FR) L'invention concerne une composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie, permettant de former une sous-couche de réserve qui peut être utilisée comme masque dur. Comme composé silane, la composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie contient un organosilane hydrolysable, un hydrolysat de celui-ci, ou le produit d'hydrolyse/condensation de celui-ci, ledit composé silane comprenant un composé silane contenant à la fois une liaison amide dans la molécule et un groupe organique, qui contient lui-même une fraction carboxylate, une fraction ester d'acide carboxylique ou les deux. Dans une composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie, le composé silane qui contient à la fois une liaison amide et un groupe organique, qui contient lui-même une fraction carboxylate, une fraction ester d'acide carboxylique ou les deux, est présent dans un rapport molaire non supérieur à 5 % en moles par rapport à la quantité totale de composé silane. Dans une autre composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie, le composé silane qui contient à la fois une liaison amide et un groupe organique, qui contient lui-même une fraction carboxylate, une fraction ester d'acide carboxylique ou les deux, est présent sous un rapport molaire compris entre 0,5 et 4,9 % en moles par rapport à la quantité totale de composé silane.
(JA) 【課題】 ハードマスクとして使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 シラン化合物として加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物を含む組成物であって、該シラン化合物はその分子中にアミド結合と、カルボン酸部分若しくはカルボン酸エステル部分又はその両者とを含む有機基を含むシラン化合物を含むものであるリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記シラン化合物全体中に、アミド結合と、カルボン酸部分若しくはカルボン酸エステル部分又はその両者とを含む有機基を含むシラン化合物の割合が５モル％未満の割合で存在するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記シラン化合物全体中に、アミド結合と、カルボン酸部分若しくはカルボン酸エステル部分又はその両者とを含む有機基を含むシラン化合物の割合が０．５乃至４．９モル％の割合で存在するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
