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1. WO2011105368 - COMPOSITION CONTENANT UN ACIDE AMIQUE POUR LA FORMATION D'UNE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT DU SILICIUM

Numéro de publication WO/2011/105368
Date de publication 01.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/053837
Date du dépôt international 22.02.2011
CIB
G03F 7/11 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
09caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C08G 77/26 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
77Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
04Polysiloxanes
22contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène
26groupes contenant de l'azote
H01L 21/027 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C08G 77/26
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
77Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
04Polysiloxanes
22containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
26nitrogen-containing groups
G03F 7/0752
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
075Silicon-containing compounds
0752in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
G03F 7/091
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
091characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
G03F 7/094
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
094Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Déposants
  • 日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 菅野 裕太 KANNO, Yuta [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中島 誠 NAKAJIMA, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 柴山 亘 SHIBAYAMA, Wataru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 武田 諭 TAKEDA, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 菅野 裕太 KANNO, Yuta
  • 中島 誠 NAKAJIMA, Makoto
  • 柴山 亘 SHIBAYAMA, Wataru
  • 武田 諭 TAKEDA, Satoshi
Mandataires
  • 萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo
Données relatives à la priorité
2010-03978725.02.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER-FORMING COMPOSITION CONTAINING AMIC ACID
(FR) COMPOSITION CONTENANT UN ACIDE AMIQUE POUR LA FORMATION D'UNE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT DU SILICIUM
(JA) アミック酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
Abrégé
(EN) Disclosed is a lithography resist underlayer-forming composition for forming a resist underlayer that can be used as a hard mask. As the silane compound, the lithography resist underlayer-forming composition contains a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzate thereof, or the hydrolysis condensation product thereof, wherein said silane compound includes a silane compound containing both an amide bond in the molecule and an organic group, which itself contains a carboxylate moiety, a carboxylic acid ester moiety or both. In one lithography resist underlayer-forming composition, the silane compound that contains both an amide bond and an organic group, which itself contains a carboxylate moiety, a carboxylic acid ester moiety or both, is present in a molar ratio of no greater than 5 mol% relative to the total amount of silane compound. In another lithography resist underlayer-forming composition, the silane compound that contains both an amide bond and an organic group, which itself contains a carboxylate moiety, a carboxylic acid ester moiety or both, is present in a molar ratio of between 0.5 and 4.9 mol% relative to the total amount of silane compound.
(FR) L'invention concerne une composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie, permettant de former une sous-couche de réserve qui peut être utilisée comme masque dur. Comme composé silane, la composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie contient un organosilane hydrolysable, un hydrolysat de celui-ci, ou le produit d'hydrolyse/condensation de celui-ci, ledit composé silane comprenant un composé silane contenant à la fois une liaison amide dans la molécule et un groupe organique, qui contient lui-même une fraction carboxylate, une fraction ester d'acide carboxylique ou les deux. Dans une composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie, le composé silane qui contient à la fois une liaison amide et un groupe organique, qui contient lui-même une fraction carboxylate, une fraction ester d'acide carboxylique ou les deux, est présent dans un rapport molaire non supérieur à 5 % en moles par rapport à la quantité totale de composé silane. Dans une autre composition de formation d'une sous-couche de réserve pour lithographie, le composé silane qui contient à la fois une liaison amide et un groupe organique, qui contient lui-même une fraction carboxylate, une fraction ester d'acide carboxylique ou les deux, est présent sous un rapport molaire compris entre 0,5 et 4,9 % en moles par rapport à la quantité totale de composé silane.
(JA) 【課題】 ハードマスクとして使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 シラン化合物として加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物を含む組成物であって、該シラン化合物はその分子中にアミド結合と、カルボン酸部分若しくはカルボン酸エステル部分又はその両者とを含む有機基を含むシラン化合物を含むものであるリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記シラン化合物全体中に、アミド結合と、カルボン酸部分若しくはカルボン酸エステル部分又はその両者とを含む有機基を含むシラン化合物の割合が5モル%未満の割合で存在するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。前記シラン化合物全体中に、アミド結合と、カルボン酸部分若しくはカルボン酸エステル部分又はその両者とを含む有機基を含むシラン化合物の割合が0.5乃至4.9モル%の割合で存在するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
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