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1. WO2011058865 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2011/058865
Date de publication 19.05.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/068771
Date du dépôt international 18.10.2010
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 29/417 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
CPC
H01L 29/45
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
45Ohmic electrodes
H01L 29/7869
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
7869having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Déposants
  • SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • AKIMOTO, Kengo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SAKATA, Junichiro (UsOnly)
  • OIKAWA, Yoshiaki (UsOnly)
  • YAMAZAKI, Shunpei (UsOnly)
Inventeurs
  • AKIMOTO, Kengo
  • SAKATA, Junichiro
  • OIKAWA, Yoshiaki
  • YAMAZAKI, Shunpei
Données relatives à la priorité
2009-25985913.11.2009JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVI CE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
It is an object to provide a method for manufacturing a highly reliable semiconductor device having a thin film transistor formed using an oxide semiconductor and having stable electric characteristics. The semiconductor device includes an oxide semiconductor film overlapping with a gate electrode with a gate insulating film interposed therebetween; and a source electrode and a drain electrode which are in contact with the oxide semiconductor film. The source electrode and the drain electrode include a mixture, metal compound, or alloy containing one or more of a metal with a low electronegativity such as titanium, magnesium, yttrium, aluminum, tungsten, and molybdenum. The concentration of hydrogen in the source electrode and the drain electrode is 1.2 times, preferably 5 times or more as high as that of hydrogen in the oxide semiconductor film.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteur hautement fiable ayant un transistor en couches minces formé à l'aide d'un semi-conducteur de type oxyde et ayant des caractéristiques électriques stables. Le dispositif à semi-conducteur comprend un film de semi-conducteur de type oxyde chevauchant une électrode grille, un film isolant de grille étant interposé entre ceux-ci ; et une électrode source et une électrode drain qui sont en contact avec le film de semi-conducteur de type oxyde. L'électrode source et l'électrode drain comprennent un mélange, un composé métallique ou un alliage contenant un ou plusieurs métaux ayant une faible électronégativité tels que le titane, le magnésium, l'yttrium, l'aluminium, le tungstène et le molybdène. La concentration en hydrogène dans l'électrode source et l'électrode drain est 1,2 fois, de préférence au moins 5 fois plus élevée que celle de l'hydrogène dans le film de semi-conducteur de type oxyde.
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