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1. WO2011054280 - DISPOSITIF LDMOS À PLAQUES DE CHAMPS MULTIPLES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2011/054280
Date de publication 12.05.2011
N° de la demande internationale PCT/CN2010/078342
Date du dépôt international 02.11.2010
CIB
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
CPC
H01L 29/404
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
402Field plates
404Multiple field plate structures
H01L 29/4175
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
4175for lateral devices where the connection to the source or drain region is done through at least one part of the semiconductor substrate thickness, e.g. with connecting sink or with via-hole
H01L 29/7835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
7833with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
7835with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
Déposants
  • 苏州远创达科技有限公司 INNOGRATION (SUZHOU) CO., LTD. [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 远创达科技(香港)有限公司 INNOGRATION (HONGKONG) CO., LTD. [CN]/[CN] (AllExceptUS)
  • 远创达科技(开曼)有限公司 INNOGRATION (CAYMAN) CO., LTD. (AllExceptUS)
  • 陈强 CHEN, Qiang [SE]/[SE] (UsOnly)
  • 马强 MA, Gordon Chiang [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • 陈强 CHEN, Qiang
  • 马强 MA, Gordon Chiang
Mandataires
  • 苏州创元专利商标事务所有限公司 SUZHOU CREATOR PATENT & TRADEMARK AGENCY LTD.
Données relatives à la priorité
200910174438.003.11.2009CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) LDMOS DEVICE WITH MULTIPLE FIELD PLATES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF LDMOS À PLAQUES DE CHAMPS MULTIPLES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 多重场板LDMOS器件及其加工方法
Abrégé
(EN)
An LDMOS device with multiple field plates and manufacturing method thereof are provided. The LDMOS device with multiple field plates comprises a semiconductor body (1) on the surface of which at least two field plates (2) are arranged. Each of the field plates (2) is provided with a horizontal portion (21) that is parallel with the surface of the semiconductor body (1). Distances between the horizontal portions (21) of different field plates (2) and the surface of the semiconductor body (1) are different. Using the LDMOS device with multiple field plates, dosage concentration of an N-type drift region can be obviously increased so that the device's on-resistance under the same source drain breakdown voltage requirement can be obviously decreased.
(FR)
L'invention concerne un dispositif LDMOS à plaques de champs multiples, ainsi qu'un procédé de fabrication de celui-ci. Le dispositif LDMOS à plaques de champs multiples comprend un corps de semi-conducteur (1) à la surface duquel sont disposées au moins deux plaques de champs (2). Chacune des plaques de champs (2) comprend une partie horizontale (21) qui est parallèle à la surface du corps de semi-conducteur (1). Les distances entre les parties horizontales (21) de différentes plaques de champs (2) et la surface du corps de semi-conducteur (1) sont différentes. En utilisant le dispositif LDMOS à plaques de champs multiples, la concentration de dosage d'une région de dérive de type N peut être visiblement accrue de sorte que la résistance passante du dispositif sous les mêmes exigences de tension de claquage source-drain puisse être visiblement réduite.
Également publié en tant que
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