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1. WO2011052375 - CORPS FRITTÉ EN OXYDE D'INDIUM ET FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT EN OXYDE D'INDIUM

Numéro de publication WO/2011/052375
Date de publication 05.05.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/067926
Date du dépôt international 13.10.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 03.03.2011
CIB
C04B 35/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
H01B 1/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
06composés principalement d'autres substances non métalliques
08oxydes
H01B 5/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
5Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
14comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
CPC
C03C 17/245
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
22with other inorganic material
23Oxides
245by deposition from the vapour phase
C04B 2235/3251
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
3251Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3286
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3286Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
C04B 2235/3293
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3293Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
C04B 2235/5409
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5409expressed by specific surface values
C04B 2235/5436
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
54Particle size related information
5418expressed by the size of the particles or aggregates thereof
5436micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
Déposants
  • JX日鉱日石金属株式会社 JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 生澤 正克 IKISAWA Masakatsu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 高見 英生 TAKAMI Hideo [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 生澤 正克 IKISAWA Masakatsu
  • 高見 英生 TAKAMI Hideo
Mandataires
  • 小越 勇 OGOSHI Isamu
Données relatives à la priorité
2009-24529326.10.2009JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) INDIUM OXIDE SINTERED BODY AND INDIUM OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) CORPS FRITTÉ EN OXYDE D'INDIUM ET FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT EN OXYDE D'INDIUM
(JA) 酸化インジウム系焼結体及び酸化インジウム系透明導電膜
Abrégé
(EN)
Disclosed is an indium oxide sintered body which contains niobium as an additive. The indium oxide sintered body is characterized in that: the ratio of the number of niobium atoms relative to the total number of atoms of all the metal elements contained in the sintered body is within the range of 1-4%; the relative density thereof is not less than 98%; and the bulk resistivity thereof is not more than 0.9 mΩ·cm. The indium oxide sintered body has high transmittances in short wavelength and long wavelength ranges, since the carrier concentration thereof is not too high although the resistivity thereof is low. Also disclosed is an indium oxide transparent conductive film.
(FR)
L'invention concerne un corps fritté en oxyde d'indium qui contient du niobium en tant qu'additif. Le corps fritté en oxyde d'indium est caractérisé en ce que : le rapport entre le nombre d'atomes de niobium et le nombre total d'atomes de tous les éléments métalliques contenus dans le corps fritté est dans la plage allant de 1 à 4 % ; sa densité relative est supérieure ou égale à 98 % ; et sa résistivité apparente est inférieure ou égale à 0,9 mΩ·cm. Le corps fritté en oxyde d'indium présente des transmittances élevées dans les plages des longueurs d'onde courtes et des longueurs d'onde longues, puisque sa concentration en support n'est pas trop élevée bien que sa résistivité soit faible. L'invention concerne également un film conducteur transparent en oxyde d'indium.
(JA)
 添加物としてニオブを含有する酸化インジウム焼結体であって、ニオブの原子数の焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率が1~4%の範囲であり、相対密度が98%以上であり、バルク抵抗が0.9mΩ・cm以下であることを特徴とする酸化インジウム焼結体。低抵抗率でありながら、キャリア濃度が高すぎないために、短波長及び長波長領域において高透過率の特性を有する酸化インジウム系酸化物焼結体及酸化インジウム系透明導電膜を提供する。
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