Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2011052355 - APPAREIL DE FORMATION DE COUCHES PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE RÉACTIVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES UTILISANT LEDIT APPAREIL

Numéro de publication WO/2011/052355
Date de publication 05.05.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2010/067562
Date du dépôt international 06.10.2010
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
C23C 14/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
04Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
CPC
C23C 14/0068
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
0021Reactive sputtering or evaporation
0036Reactive sputtering
0068characterised by means for confinement of gases or sputtered material, e.g. screens, baffles
C23C 14/564
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Déposants
  • キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木 英和 SUZUKI Hidekazu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 鈴木 英和 SUZUKI Hidekazu
Mandataires
  • 岡部 讓 OKABE Yuzuru
Données relatives à la priorité
2009-24779328.10.2009JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) REACTIVE SPUTTERING FILM-FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING FILM USING SAME
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE COUCHES PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE RÉACTIVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES UTILISANT LEDIT APPAREIL
(JA) 反応性スパッタ成膜装置、およびそれを用いた膜の製造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a reactive sputtering film-forming apparatus provided with a mask, wherein local increase of the atomic concentration of film-forming components in the outer circumferential portion of a substrate is reduced, while reducing generation of dusts. Also disclosed is a method for manufacturing a film using the reactive sputtering film-forming apparatus. The reactive sputtering film-forming apparatus is provided with: a chamber (1); a substrate holder (6) for disposing the substrate (5); a mask (8); and a first gas supply port (10), through which a gas containing a reactive gas is supplied to the inside of the chamber (1). The mask (8) and the substrate holder (6) are configured such that gaps (15, 17) are formed between the mask (8), and the substrate holder (6) and the substrate (5), at least at the time of performing reactive sputtering. The reactive sputtering film-forming apparatus is also provided with a second gas supply port (16), an inert gas is supplied from the second gas supply port, and entry of the reactive gas from the periphery of the substrate holder (6) to the area having the substrate disposed thereon is suppressed.
(FR)
Cette invention concerne un appareil de formation de couches par pulvérisation cathodique réactive, doté d'un masque. Ledit appareil réduit l'accroissement local de la concentration atomique des composants filmogènes dans la partie circonférentielle externe d'un substrat tout en réduisant la génération de poussières. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une couche au moyen de l'appareil de formation de couches par pulvérisation cathodique réactive. L'appareil de formation de couches par pulvérisation cathodique réactive comprend : une chambre (1) ; un support de substrat (6) pour accueillir le substrat (5) ; un masque (8) ; et un premier orifice d'alimentation en gaz (10), à travers lequel un gaz contenant un gaz réactif est acheminé à l'intérieur de la chambre (1). Le masque (8) et le support de substrat (6) sont configurés de telle sorte que des espaces (15, 17) sont formés entre le masque (8), le support de substrat (6) et le substrat (5), au moins lors de l'exécution de la pulvérisation cathodique réactive. L'appareil de formation de couches par pulvérisation cathodique réactive est également doté d'un second orifice d'alimentation en gaz (16). Un gaz inerte est fourni à partir du second orifice d'alimentation en gaz, et l'admission du gaz réactif à partir de la périphérie du support de substrat (6) vers la zone sur laquelle est disposé le substrat est supprimée.
(JA)
本発明は、マスクを設けた反応性スパッタ成膜装置において、発塵の発生を低下しながら、基板外周部において局所的に成膜成分の原子濃度が高くなることを低減した反応性スパッタ成膜装置およびそれを用いた膜の製造方法を提供する。本発明の一実施形態は、反応性スパッタ成膜装置であって、チャンバ(1)と、基板(5)を設置するための基板ホルダ(6)と、マスク(8)と、チャンバ(1)内に反応性ガスを含むガスを供給する第一のガス供給口(10)とを備える。 少なくとも反応性スパッタリング時には、マスク(8)と、基板ホルダ(6)および基板(5)との間に隙間(15、17)が形成されるようにマスク(8)および基板ホルダ(6)は構成されている。上記反応性スパッタ成膜装置は、第二のガス供給口(16)をさらに供えており、該第二のガス供給口から不活性ガスが供給され、基板ホルダ(6)の周囲から基板設置部への反応性ガスの進入が抑制される。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international