(EN) A three-dimensional (3D) Trench detector and a method for fabricating the detector are disclosed. The 3D-Trench detector includes a bulk of semiconductor material that has first and second surfaces separated from each other by a bulk thickness, a first electrode in the form of a 3D-Trench, and a second electrode in the form of a 3D column. The first and second electrodes extend into the bulk along the bulk thickness. The first and second electrodes are separated from each other by a predetermined electrode distance, and the first electrode completely surrounds the second electrode along essentially the entire distance that the two electrodes extend into the bulk such that the two electrodes are substantially concentric to each other. The fabrication method includes doping a first narrow and deep region around the periphery of the bulk to form the first electrode, and doping a second narrow and deep region in the center of the bulk to form the second electrode.
(FR) La présente invention a trait à un détecteur de tranchée tridimensionnelle (3D) et à un procédé de fabrication du détecteur. Le détecteur de tranchée 3D inclut un substrat de matériau semi-conducteur qui est pourvu de première et seconde surfaces séparées l'une de l'autre par une épaisseur de substrat, une première électrode sous la forme d'une tranchée 3D, et une seconde électrode sous la forme d'une colonne 3D. Les première et seconde électrodes s'étendent dans le substrat sur toute l'épaisseur de substrat. Les première et seconde électrodes sont séparées l'une de l'autre par une distance entre électrodes prédéterminées et la première électrode entoure entièrement la seconde électrode sur essentiellement toute la distance sur laquelle les deux électrodes s'étendent dans le substrat de sorte que les deux électrodes sont sensiblement concentriques l'une par rapport à l'autre. Le procédé de fabrication inclut les étapes consistant à doper une première zone étroite et profonde sur la périphérie du substrat de manière à former la première électrode et à doper une seconde zone étroite et profonde au centre du substrat de manière à former la seconde électrode.