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1. WO2011049832 - DÉTECTEURS D'ÉLECTRODE À TRANCHÉE TRIDIMENSIONNELLE

Numéro de publication WO/2011/049832
Date de publication 28.04.2011
N° de la demande internationale PCT/US2010/052887
Date du dépôt international 15.10.2010
CIB
G01T 1/24 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16Mesure de l'intensité de radiation
24avec des détecteurs à semi-conducteurs
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 27/1446
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1446in a repetitive configuration
H01L 31/03529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
035272characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
03529Shape of the potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/117
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
117of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
Déposants
  • BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES, LLC [US]/[US] (AllExceptUS)
  • LI, Zheng [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • LI, Zheng
Mandataires
  • SACK, Alan, M.
Données relatives à la priorité
61/252,75619.10.2009US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) 3D-TRENCH ELECTRODE DETECTORS
(FR) DÉTECTEURS D'ÉLECTRODE À TRANCHÉE TRIDIMENSIONNELLE
Abrégé
(EN)
A three-dimensional (3D) Trench detector and a method for fabricating the detector are disclosed. The 3D-Trench detector includes a bulk of semiconductor material that has first and second surfaces separated from each other by a bulk thickness, a first electrode in the form of a 3D-Trench, and a second electrode in the form of a 3D column. The first and second electrodes extend into the bulk along the bulk thickness. The first and second electrodes are separated from each other by a predetermined electrode distance, and the first electrode completely surrounds the second electrode along essentially the entire distance that the two electrodes extend into the bulk such that the two electrodes are substantially concentric to each other. The fabrication method includes doping a first narrow and deep region around the periphery of the bulk to form the first electrode, and doping a second narrow and deep region in the center of the bulk to form the second electrode.
(FR)
La présente invention a trait à un détecteur de tranchée tridimensionnelle (3D) et à un procédé de fabrication du détecteur. Le détecteur de tranchée 3D inclut un substrat de matériau semi-conducteur qui est pourvu de première et seconde surfaces séparées l'une de l'autre par une épaisseur de substrat, une première électrode sous la forme d'une tranchée 3D, et une seconde électrode sous la forme d'une colonne 3D. Les première et seconde électrodes s'étendent dans le substrat sur toute l'épaisseur de substrat. Les première et seconde électrodes sont séparées l'une de l'autre par une distance entre électrodes prédéterminées et la première électrode entoure entièrement la seconde électrode sur essentiellement toute la distance sur laquelle les deux électrodes s'étendent dans le substrat de sorte que les deux électrodes sont sensiblement concentriques l'une par rapport à l'autre. Le procédé de fabrication inclut les étapes consistant à doper une première zone étroite et profonde sur la périphérie du substrat de manière à former la première électrode et à doper une seconde zone étroite et profonde au centre du substrat de manière à former la seconde électrode.
Également publié en tant que
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