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1. WO2011046664 - COUCHE BARRIÈRE PLACÉE ENTRE UN SUBSTRAT ET UNE COUCHE D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENTE POUR CELLULES SOLAIRES À COUCHES MINCES DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2011/046664
Date de publication 21.04.2011
N° de la demande internationale PCT/US2010/044126
Date du dépôt international 02.08.2010
CIB
H01L 31/0216 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0216Revêtements
H01L 31/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
H01L 31/075 2012.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
075les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe
CPC
H01L 31/03921
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
036characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
0392including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
03921including only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
075the potential barriers being only of the PIN type
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/1884
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
Y02E 10/548
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
548Amorphous silicon PV cells
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • SINGH, Kaushal K. [US]/[US] (UsOnly)
  • PINGALY, Deepak [IN]/[US] (UsOnly)
  • SHRAUTI, Suresh [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • SINGH, Kaushal K.
  • PINGALY, Deepak
  • SHRAUTI, Suresh
Mandataires
  • PATTERSON, B. Todd
Données relatives à la priorité
61/251,99515.10.2009US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A BARRIER LAYER DISPOSED BETWEEN A SUBSTRATE AND A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER FOR THIN FILM SILICON SOLAR CELLS
(FR) COUCHE BARRIÈRE PLACÉE ENTRE UN SUBSTRAT ET UNE COUCHE D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENTE POUR CELLULES SOLAIRES À COUCHES MINCES DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
A method and apparatus for forming solar cells is provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a barrier layer disposed on a substrate, a TCO layer disposed on the barrier layer, and a p-i-n junction cell formed on the TCO layer. In another embodiment, a method for forming a photovoltaic device includes providing a substrate having a surface, forming a barrier layer on the surface of the substrate, forming a TCO layer on a top surface of the barrier layer, and forming a p-i-n junction cell on the TCO layer
(FR)
La présente invention se rapporte à un procédé et à un appareil adaptés pour former des cellules solaires. Dans un mode de réalisation de l'invention, un dispositif photovoltaïque comprend une couche barrière placée sur un substrat, une couche de TCO placée sur la couche barrière et une cellule à jonction p-i-n formée sur la couche de TCO. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un procédé de formation d'un dispositif photovoltaïque consiste : à fournir un substrat ayant une surface ; à former une couche barrière sur la surface du substrat ; à former une couche de TCO sur une face supérieure de la couche barrière ; et à former une cellule à jonction p-i-n sur la couche de TCO.
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