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1. WO2011044867 - COMPOSANT SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2011/044867
Date de publication 21.04.2011
N° de la demande internationale PCT/DE2010/000545
Date du dépôt international 18.05.2010
CIB
H01L 51/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
52Détails des dispositifs
H01L 51/56 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 2251/5361
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
50Organic light emitting devices
53Structure
5361OLED lamp
H01L 2251/552
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
50Organic light emitting devices
55characterised by parameters
552HOMO-LUMO-EF
H01L 2251/568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
50Organic light emitting devices
56Processes specially adapted for the manufacture or treatment of OLED
568Repairing
H01L 51/0015
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0014for changing the shape of the device layer, e.g. patterning
0015by selective transformation of an existing layer
H01L 51/002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
002Making n- or p-doped regions
H01L 51/0026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0026Thermal treatment of the active layer, e.g. annealing
Déposants
  • NOVALED AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • ROTHE, Carsten [DE]/[DE] (UsOnly)
  • LOESER, Falk [DE]/[DE] (UsOnly)
  • LESSMANN, Rudolf [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • ROTHE, Carsten
  • LOESER, Falk
  • LESSMANN, Rudolf
Mandataires
  • BITTNER, Thomas, L.
Données relatives à la priorité
10 2009 049 437.514.10.2009DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) ELEKTROOPTISCHES, ORGANISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN
(EN) ELECTRO-OPTICAL, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT SEMICONDUCTEUR ORGANIQUE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein elektrooptisches, organisches Halbleiterbauelement mit einer sich flächig erstreckenden Anordnung von gestapelten organischen Schichten, wobei die Anordnung von gestapelten organischen Schichten mit einer organischen Ladungsträgertransportschicht aus einem Schichtmaterial gebildet ist, die Anordnung von gestapelten organischen Schichten mit wenigstens einer weiteren organischen Schicht aus einem weiteren Schichtmaterial gebildet ist, welches von dem Schichtmaterial verschieden ist, die elektrische Leitfähigkeit der organischen Ladungsträgertransportschicht wenigstens lokal thermisch irreversibel veränderbar ist, indem das Schichtmaterial in der Anordnung von gestapelten organischen Schichten wenigstens lokal auf eine Temperatur erwärmt wird, die zwischen einer unteren kritischen Temperatur und einer oberen kritischen Temperatur liegt, und die organische Ladungsträgertransportschicht aus dem Schichtmaterial sowie die wenigstens eine weitere organische Schicht aus dem weiteren Schichtmaterial in dem Temperaturbereich zwischen der unteren kritischen Temperatur und der oberen kritischen Temperatur morphologisch stabil sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines elektrooptischen, organischen Halbleiterbauelementes.
(EN)
The invention relates to an electro-optical, organic semiconductor component, comprising an arrangement of stacked organic layers that extends in a planar manner, wherein the arrangement of stacked organic layers has an organic charge carrier transport layer made of a laminate material, the arrangement of stacked organic layers has at least one further organic layer made of a further laminate material different from the laminate material, the electrical conductivity of the organic charge carrier transport layer can be thermally irreversibly changed at least locally by means of heating the laminate material in the arrangement of stacked organic layers at least locally to a temperature that lies between a lower critical temperature and an upper critical temperature, and the organic charge carrier transport layer made of the laminate material and the at least one further organic layer made of the further laminate material are morphologically stable in the temperature range between the lower critical temperature and the upper critical temperature. The invention further relates to a method for producing an electro-optical, organic semiconductor component.
(FR)
L'invention concerne un composant semiconducteur organique optoélectronique comprenant un agencement, s'étendant à plat, de couches organiques empilées. Cet agencement de couches organiques empilées est formé d'une couche organique de transport des porteurs de charge en matériau en couche. L'agencement de couches organiques empilées est formé d'au moins une autre couche organique réalisée dans un autre matériau en couche différent du précédent. La conductivité électrique de la couche de transport de porteurs de charge peut être modifiée de manière thermiquement irréversible au moins localement par chauffage au moins local du matériau en couche dudit agencement de couches organiques empilées à une certaine température comprise entre une température critique inférieure et une température critique supérieure. La couche de transport de porteurs de charge composée du matériau en couche ainsi que de ladite au moins une autre couche organique réalisée dans l'autre matériau en couches dans la plage de températures comprise entre la température critique inférieure et la température critique supérieure, sont morphologiquement stables. L'invention concerne également un procédé de production d'un composant semiconducteur organique optoélectronique.
Également publié en tant que
DE1120100040567
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