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1. (WO2010096745) FABRICATION D'UN DISPOSITIF À COUCHE DE DIAMANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/096745    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/024878
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 22.02.2010
CIB :
H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US) (Tous Sauf US).
CHEN, Mary, Y. [US/US]; (US) (US Seulement).
DEELMAN, Peter, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Mary, Y.; (US).
DEELMAN, Peter, W.; (US)
Mandataire : MOOSEY, Anthony, T.; Suite 301A 354A Turnpike St. Canton, Massachusetts 02021 (US)
Données relatives à la priorité :
12/390,593 23.02.2009 US
Titre (EN) FABRICATING A DEVICE WITH A DIAMOND LAYER
(FR) FABRICATION D'UN DISPOSITIF À COUCHE DE DIAMANT
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect, a method includes forming a silicon dioxide layer on a surface of a diamond layer disposed on a gallium nitride (GaN)-type layer. The method also includes etching the silicon dioxide layer to form a pattern. The method further includes etching portions of the diamond exposed by the pattern.
(FR)Selon un aspect, l'invention concerne un procédé de formation d'une couche de dioxyde de silicium sur la surface d'une couche de diamant déposée sur une couche du type à base de nitrure de gallium (GaN). Le procédé consiste également à attaquer la couche de dioxyde de silicium afin de former un motif. Le procédé consiste enfin à attaquer des parties du diamant exposé par le motif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)