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1. (WO2010096593) LITHOGRAPHIE AU STYLO PAR FAISCEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/096593    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/024633
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 18.02.2010
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NORTHWESTERN UNIVERSITY [US/US]; 633 Clark Street Evanston, IL 60208 (US) (Tous Sauf US).
MIRKIN, Chad, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHENG, Gengfeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
HUO, Fengwei [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MIRKIN, Chad, A.; (US).
ZHENG, Gengfeng; (US).
HUO, Fengwei; (US)
Mandataire : MUCZYNSKI, Michael; Marshall, Gerstein & Borun LLP 233 S. Wacker Drive, Suite 6300 Sears Tower Chicago, IL 60606-6357 (US)
Données relatives à la priorité :
61/153,400 18.02.2009 US
61/153,389 18.02.2009 US
Titre (EN) BEAM PEN LITHOGRAPHY
(FR) LITHOGRAPHIE AU STYLO PAR FAISCEAU
Abrégé : front page image
(EN)The disclosure relates to methods of beam pen lithography using a tip array having a plurality of transparent, elastomeric, reversibly-deformable tips coated with a blocking layer and apertures defined in the blocking layer to expose tip ends of the tips in the array. The tip array can be used to perform a photolithography process in which the tips are illuminated with a radiation that is channeled through the tips and out the apertures to expose a photosensitive substrate. Also disclosed are tip arrays formed of polymers and gels, apparatus including the tip arrays and radiation sources, and related apparatus for selectively masking tips in the tip array from radiation emitted from the radiation source.
(FR)L'invention porte sur des procédés de lithographie au stylo par faisceau utilisant un réseau de pointes possédant une pluralité de pointes déformables de manière réversible, élastomères, transparentes, revêtues d'une couche de blocage et d'ouvertures définies dans la couche de blocage pour exposer des extrémités de pointe des pointes du réseau. Le réseau de pointes peut être utilisé pour effectuer un processus de photolithographie dans lequel les pointes sont éclairées par un rayonnement qui est canalisé à travers les pointes et hors des ouvertures pour exposer un substrat photosensible. L'invention porte également sur des réseaux de pointes formés de polymères et de gels, sur un appareil comprenant les réseaux de pointes et les sources de rayonnement, et sur un appareil apparenté pour masquer de manière sélective les pointes du réseau de pointes vis-à-vis du rayonnement émis à partir de la source de rayonnement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)