WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010096407) IMAGERIE PAR POLARISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/096407    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/024358
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 17.02.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.12.2010    
CIB :
G01J 4/00 (2006.01)
Déposants : RUDOLPH TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; One Rudolph Road Flanders, New Jersey 07836 (US) (Tous Sauf US).
BALAK, Scott A. [US/US]; (US) (US Seulement).
SUN, Gang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BALAK, Scott A.; (US).
SUN, Gang; (US)
Mandataire : CZAJA, Timothy A.; Dicke, Billig & Czaja, PLLC 100 S. Fifth Street Suite 2250 Minneapolis, Minnesota 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
61/153,594 18.02.2009 US
12/551,702 01.09.2009 US
Titre (EN) POLARIZATION IMAGING
(FR) IMAGERIE PAR POLARISATION
Abrégé : front page image
(EN)Methods of monitoring critical dimensions in a semiconductor fabrication process include capturing at least one image of a first structure that has an effect on the polarization state of light reflected therefrom. For at least some of the first structure images, a value is calculated indicative of intensity of light reflected from the first structure. A critical dimension of the first structure is obtained and correlated with the calculated value. At least one image of a subsequent structure is captured. A determination is made, based at least in part on the calculated value, of a critical dimension of the subsequent structure.
(FR)L'invention porte sur des procédés de surveillance de dimensions critiques, dans un processus de fabrication de semi-conducteurs, qui comprennent la capture d'au moins une image d'une première structure qui a un effet sur l'état de polarisation de lumière réfléchie à partir de celle-ci. Pour au moins certaines des images de la première structure, une valeur est calculée, indiquant l'intensité de la lumière réfléchie à partir de la première structure. Une dimension critique de la première structure est obtenue et corrélée à la valeur calculée. Au moins une image d'une structure ultérieure est capturée. Une détermination est faite, sur la base au moins en partie de la valeur calculée, d'une dimension critique de la structure ultérieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)