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1. (WO2010096241) HALO À DOPAGE MODULÉ DANS DES TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À PUITS QUANTIQUES, APPAREIL FAIT AVEC CELUI-CI ET SES PROCÉDÉS D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/096241    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/022047
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 26.01.2010
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; (US) (US Seulement).
RAKSHIT, Titash [IN/US]; (US) (US Seulement).
HUDAIT, Mantu [IN/US]; (US) (US Seulement).
RADOSAVLJEVIC, Marko [IN/US]; (US) (US Seulement).
DEWEY, Gilbert [US/US]; (US) (US Seulement).
CHU-KUNG, Benjamin [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PILLARISETTY, Ravi; (US).
RAKSHIT, Titash; (US).
HUDAIT, Mantu; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
CHU-KUNG, Benjamin; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
12/378,828 20.02.2009 US
Titre (EN) MODULATION-DOPED HALO IN QUANTUM WELL FIELD-EFFECT TRANSISTORS, APPARATUS MADE THEREWITH, AND METHODS OF USING SAME
(FR) HALO À DOPAGE MODULÉ DANS DES TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À PUITS QUANTIQUES, APPAREIL FAIT AVEC CELUI-CI ET SES PROCÉDÉS D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)A quantum well (QW) layer is provided in a semiconductive device. The QW layer is provided with a beryllium-doped halo layer in a barrier structure below the QW layer. The semiconductive device includes InGaAs bottom and top barrier layers respectively below and above the QW layer. The semiconductive device also includes a high-k gate dielectric layer that sits on the InP spacer first layer in a gate recess. A process of forming the QW layer includes using an off-cut semiconductive substrate.
(FR)Selon l'invention, une couche de puits quantiques (QW) est formée dans un dispositif à semi-conducteurs. La couche QW est pourvue d'une couche de halo dopée au béryllium dans une structure barrière au-dessous de la couche QW. Le dispositif à semi-conducteurs comprend des couches barrières inférieure et supérieure au InGaAs, respectivement au-dessous et au-dessus de la couche QW. Le dispositif à semi-conducteurs comprend également une couche de diélectrique de grille à constante diélectrique élevée qui est posée sur une première couche d'écartement InP dans un renfoncement de grille. Un procédé de fabrication de la couche QW comprend l'utilisation d'un substrat semi-conducteur de chute.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)