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1. (WO2010096129) SYSTÈME ÉLECTRONIQUE DE MODÉLISATION DE RÉACTIONS CHIMIQUES ET DE PROCESSUS BIOLOGIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/096129    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/062828
Date de publication : 26.08.2010 Date de dépôt international : 30.10.2009
CIB :
G06G 7/24 (2006.01), G05B 17/02 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US) (Tous Sauf US).
MANDAL, Soumyajit [IN/US]; (US) (US Seulement).
SARPESHKAR, Rahul [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MANDAL, Soumyajit; (US).
SARPESHKAR, Rahul; (US)
Mandataire : COOK, Jack, M.; QUARLES & BRADY LLP 411 E. Wisconsin Avenue Milwaukee, WI 53202 (US)
Données relatives à la priorité :
61/207,962 17.02.2009 US
61/175,285 04.05.2009 US
12/575,291 07.10.2009 US
Titre (EN) ELECTRONIC SYSTEM FOR MODELING CHEMICAL REACTIONS AND BIOCHEMICAL PROCESSES
(FR) SYSTÈME ÉLECTRONIQUE DE MODÉLISATION DE RÉACTIONS CHIMIQUES ET DE PROCESSUS BIOLOGIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A system for modeling chemical reactions using analog or hybrid-analog-digital electronic circuits. The system exploits similarities between the kinetic rates of chemical reaction and the rates governing current flow in electronic devices such as bipolar junction transistors (BJTs) and metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) operating at subthreshold conditions. These devices, which accurately model the stochastics of chemical processes, can networked into large array to model chemical reaction networks, including biochemical reactions and genetic processes such as activation, induction, transcription, and translation.
(FR)L'invention porte sur un système de modélisation de réactions chimiques à l'aide de circuits électroniques analogiques ou hybrides analogiques-numériques. Le système exploite des similarités entre les vitesses cinétiques de réaction chimique et les vitesses régissant une circulation de courant dans des dispositifs électroniques tels que des transistors à jonction bipolaire (BJT) et des transistors à effet de champ métal-oxyde semi-conducteur (MOSFET) fonctionnant dans des conditions en dessous du seuil. Ces dispositifs, qui modélisent avec précision les stochastiques des processus chimiques, peuvent être mis en réseau dans un grand réseau afin de modéliser des réseaux de réactions chimiques, comprenant des réactions chimiques et des processus génétiques tels que l'activation, l'induction, la transcription et la traduction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)